肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管或肖特基障壘二極管，是一種半導體二極管，具有快速開關和低噪聲特性。它的結構類似于普通的二極管，但是在PN結上引入了一個金屬-半導體接觸，這個接觸形成了一個肖特基勢壘。與普通二極管不同的是，肖特基二極管的導電是通過肖特基勢壘而不是PN結。肖特基二極管的主要特點是快速開關和低噪聲，這使得它在許多高頻電路中得到廣泛應用。另一方面，PCF8574AT肖特基二極管的導通電壓低，這意味著在低功耗電路中使用它可以有效地降低功耗。一、肖特基二極管的工作原理肖特基二極管的工作原理基于肖特基勢壘的形成。當金屬和半導體接觸時，由于金屬中的電子濃度高于半導體，所以金屬中的電子會向半導體中移動，形成一個肖特基勢壘。這個勢壘實際上是一個電子空穴對，其中電子和空穴在勢壘中交換。在正向偏置時，電子會從半導體側向金屬側移動，這就形成了導電通路。在反向偏置時，肖特基勢壘變得更加陡峭，阻止電子從半導體側流向金屬側，因此肖特基二極管具有很高的反向電阻。二、肖特基二極管的優(yōu)點1.快速開關肖特基二極管的導電是通過肖特基勢壘而不是PN結實現(xiàn)的，因此它具有快速的開關速度。這使得它在高頻電路中得到廣泛應用。2.低噪聲肖特基二極管的低噪聲特性是由于肖特基勢壘的形成。它的結構相對簡單，沒有PN結，因此沒有PN結產(chǎn)生的噪聲。3.低導通電壓肖特基二極管的導通電壓低于普通二極管，這意味著在低功耗電路中使用它可以有效地降低功耗。4.高反向電阻肖特基二極管的肖特基勢壘非常陡峭，因此具有很高的反向電阻。這使得它在一些特殊的應用中得到廣泛應用，例如作為放大器輸入端的保護二極管。5.溫度穩(wěn)定性好肖特基二極管的溫度

產(chǎn)品摘要VRRM（V）IO（A）VF最大值（V）+ 25°C30V + 25°C40 2 0.54 40描述和應用表面貼裝肖特基勢壘二極管，具有低正向電壓跌落適用于高頻整流和反向電壓保護。DC - DC轉(zhuǎn)換器頻閃手機充電電路電機控制特點和好處阻力低等效極低的泄漏低VF，快速開關肖特基封裝熱額定溫度為+ 150°C完全無鉛且完全符合RoHS標準（注1和2）鹵素和無銻。 “綠色”裝置（注3）符合AEC-Q101高可靠性標準機械數(shù)據(jù)案例：SOT26表殼材質(zhì)：模壓塑料，“綠色”成型復合物;UL可燃性分類等級94V-0濕度敏感度：J-STD-020的1級端子：啞光錫表面退火銅引線框;（無鉛電鍍）根據(jù)MIL-STD-202，方法208可焊接重量：0.016克（近似值最大額定值（@TA = + 25°C，除非另有說明。）特征符號值單位連續(xù)反向電壓VRRM 40 V.正向電流IF 2.2 A.峰值重復正向電流矩形脈沖占空比IFPK 3.55 A.非重復正向電流t≤100μst≤10msIFSM熱特性特征符號值單位功耗@TA = + 25°C單模連續(xù)單個芯片在t <5 secsPD時測量連接到環(huán)境（注5）RθJA113°C / W.連接到環(huán)境（注6）RθJA73°C / W.存儲溫度范圍TSTG -55至+ 150°C結溫TJ + 150°C電氣特性（@TA = + 25°C，除非另有說明。）特征符號最小值典型最大單位測試條件反向擊穿電壓V（BR）R 40 - - V IR = 1mA正向電壓（注7）VF - 285 -mVIF = 50mA - 305 - IF = 1

屬性平均整流電流 - 最大值千毫安峰值電流 - 最大值 12A反向電壓 - 最大值[Vrrm] 40V反向電流 - 最大值 100μA正向電壓 425mV功耗特點和好處高電流能力（IF = 1A）低VF完全無鉛且完全符合RoHS標準（注1和2）鹵素和無銻。 “綠色”裝置（注3）符合AEC-Q101高可靠性標準機械數(shù)據(jù)表殼材質(zhì)：模壓塑料，“綠色”成型復合物。UL易燃性分類等級94V-0濕氣敏感度：J-STD-020的1級端子：啞光錫表面處理退火合金42引線框架?？筛鶕?jù)MIL-STD-202，方法208進行焊接重量：0.0089克（近似值）最大額定值（@TA = + 25°C，除非另有說明。）特征符號值單位連續(xù)反向電壓VR 40 V.連續(xù)正向電流IF 1 A.正向電壓@ IF = 1A（典型值）VF 425 mV平均峰值正向電流; D.C. = 50％IFAV 1750 mA非重復正向電流t100μsIFSM12 A.t10ms5.2A熱特性特征符號值單位功耗，TA = + 25°C PD 500 mW結溫TJ + 125°C存儲溫度范圍TSTG -55至+ 150°C電氣特性（@TA = + 25°C，除非另有說明。）特征符號最小值典型最大單位測試條件反向擊穿電壓V（BR）R 40 60 - V IR =300μA正向電壓（注5）VF - 240 270毫伏IF = 50mA - 265 290 IF = 100mA - 305 340 IF = 250mA - 355 400 IF = 500mA - 39

BAT54A是肖特基二極管，貼片二極管。它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。主要參數(shù)BAT54A，采用SOT-23封裝方式。 二極管類型:Schottky電流, If 平均:200mA電壓, Vrrm:30V正向電壓 Vf 最大:0.4V時間, trr 最大:5ns電流, Ifs 最大:0.6A封裝形式:SOT-23 針腳數(shù):3 SMD標號:L42共接:陽極器件標記:D48外寬:3.05mm外部深???:2.5mm外部長度/高度:1.12mm封裝類型:SOT-23正向電壓, 于If:0.35V電流, If @ Vf:10mA電流, Ifsm:1A結溫, Tj 最高:150°C表面安裝器件:表面安裝

凌力爾特公司 (LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION) 推出 0V 至 18V 雙通道理想二極管控制器 LTC4353，該器件可取代兩個大功率肖特基二極管，以低損耗實現(xiàn)多個電源 “或”，且對電源電壓的干擾最小。LTC4353 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 的正向壓降，以在二極管“或”應用中確保電源之間的平滑轉(zhuǎn)換。在低壓系統(tǒng)中，當電源切換時，控制器之間的慢速切換導致電壓下降。LTC4353

加利福尼亞州米爾皮塔斯(MILPITAS,CA)–2012年6月15日–凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出0V至18V雙通道理想二極管控制器LTC4353，該器件可取代兩個大功率肖特基二極管，以低損耗實現(xiàn)多個電源“或”，且對電源電壓的干擾最小。LTC4353調(diào)節(jié)外部N溝道MOSFET的正向壓降，以在二極管“或”應用中確保電源之間的平滑轉(zhuǎn)換。在低壓系統(tǒng)中，當電源切換時，控制器之間的慢速切換導致電壓下降。LTC4353

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非?？欤悍聪蚧謴蜁r間特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 肖特基二極管(Schottky Diodes)： 肖特基二極管利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。它的主要特點是具有較低的正向壓降（0.3V至0.6V）；另外它是多子參與導電，這就比少子器件有更快的反應速度。肖特基二極管常用在門電路中作為三極管集電極的箝位二極管，以防止三極管因進入飽和狀態(tài)而降低開關速度。 肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整

肖特基二極管具有開關速度很快，而且正向電壓低，低耦合容量的特征。為活用其高頻特性．多使用在DBM (雙重均衡混頻器)電路中。 DBM電路的應用有平衡調(diào)制、同步檢波、混頻等．在調(diào)制信號上給子脈沖波，進行脈沖調(diào)制；給予直流電壓調(diào)增益電路；在偏壓電路上重疊調(diào)制信號的振幅調(diào)制電路等都很容易實現(xiàn)。圖1是典型的應用舉例。 圖1 DBIM代表性應用電路 圖2是由肖特纂二極管組成的最基本的DBM電路，它由2細平衡器和二極管橋式電路(注意D1～D2的極眭)構成，一般市場上出售的多是封裝在如圖3所示的金屬盒里的 DBM。這里，我們進行自制，來研究其動作和特性。 圖2 DBM的基本構成 圖3 市場上的DBM例 制作方法很簡單，準備2個如圖4所示的眼鏡鐵心(Q5S，TDK生產(chǎn))，同時纏繞3根電線(3線繞法)，然后不要弄錯極性，連接二極管D1～D2。 平衡變壓器的電感由所用的頻帶域決定，這里沒有什么特別的理由，一般繞成10匝×3。 DBM電路中電路的平衡至關重要。二極管D1～D4、平衡變壓器T1、T2的特性都要盡可能相同，我們實驗中的二極管并沒有進行特殊的選擇。 圖4 眼鏡鐵心例 另外，由于使用頻率高和平衡變壓器的平衡不好，所以此時如果在端子1、2及端子3、4之間插入平衡-不平衡變壓器會比較有效果。

一般的二極管是利用PN結的單方向?qū)щ姷奶匦?，?span style=" color:green;">肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產(chǎn)生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10 電子電路中（當電路電壓高于100 V以上時，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。此外，SBD是根據(jù)漂移現(xiàn)象產(chǎn)生電流的，不會積累，也無須移去多余的載流子，因此也就不存在正向恢復或反向恢復現(xiàn)象。這就是SBD的莎Ⅱ很小的緣故。輸出電壓為4～5V的開關轉(zhuǎn)換可以選用PIV為25 V或45 V的Si－SBD。例如1N6492、lN639l、1N6392等。SBD的缺點是：反向漏電流比普通二極管大得多，如圖1所示的二極管伏安特性比較。這是因為Si－SBD的結電容較大的緣故，如USD45型Si－SBD的結電容約為4700 pF，而UFRD的結電容僅為5～150 pF，GaAs－SBD的結電容也只有100～500 pF。 圖1 二極管伏安特性的比較 有關各種快速開關二極管的參數(shù)見表1～表3c。 表1 幾種典型功率二極管的主要參數(shù) 表2 Si-SBD和UFRD參數(shù)級別的比較（1級最高） 表3 UFRD和Si-SBD、GaAs－SBD的主要參數(shù) GaAs-SBD的反向恢復時間不大于10ns。適用于高頻、高速動作的電路及電壓稍高的電路，現(xiàn)已經(jīng)實用化。例如，日本生產(chǎn)的GaAs－

rectifying 結也可以在半導體和金屬之間形成。這樣的結稱作schottky barriers.schottky barrier 有點類似于pn結。比如，schottky barriers能用來作肖特基二極管，它很像pn二極管。schottky barriers 也可以在集成電路互連系統(tǒng)中的接觸區(qū)域形成。 某種物質(zhì)的work function相當于從它之中去掉一個電子所需的能量。每種物質(zhì)特有的work function取決于它的晶體結構和它的成分。當兩種不同work function 的物質(zhì)相互接觸時，每種物質(zhì)中的電子有不同初始能量。因此在這兩種物質(zhì)之間存在著電壓差，稱為接觸電壓。考慮一下pn結的情況。結兩邊的半導體有相同的晶體結構。pn結的接觸電壓，或它的內(nèi)電場，只取決于摻雜情況。在schottky barrier中，金屬和半導體的不同的晶體結構對接觸電壓也有影響。 當鋁碰到輕摻雜的n型硅時一個典型的rectifying schottky barrier就形成了(圖1.14b)。為了平衡接觸電壓，載流子必須重新分布。電子從半導體擴散到金屬，在那里他們堆積起來形成帶負電的一個薄膜。硅中的電子的大量離開造成了一個由離子化的雜質(zhì)原子形成區(qū)域－耗盡區(qū)（圖1.14a）。耗盡區(qū)的電場又把電子從金屬拉回到半導體。只有當擴散電流和漂移電流相等時才建立平衡?，F(xiàn)在沿著schottky barrier的電壓差就等于接觸電壓了。在schottky barrier的半導體一邊只有很少的少數(shù)載流子，所以肖特基二極管又稱為多數(shù)載流子器件。圖1.14 在schottky barrier兩邊的過剩載流

成本更低、尺寸更小的功率校正電路推動筆記本電腦、消費電子及工業(yè)電源應用 意法半導體（紐約證券交易所：STM)和Velox半導體公司宣布在市場上聯(lián)合推出GaN（氮化鎵）肖特基二極管的合作銷售協(xié)議。成為市場上公認的GaN肖特基二極管雙貨源供應商是兩家公司共同的長遠目標。GaN二極管使設備廠商能夠設計和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的計算機、消費電子和工業(yè)產(chǎn)品用開關電源(SMPS)。 兩家公司都認為ST和Velox的互補性技能將會加快關鍵技術的開發(fā)，提高合作項目的成功概率，讓雙方籌借到所需的資金，提高產(chǎn)品的數(shù)量和質(zhì)量。Velox正在開發(fā)600V的GaN肖特基二極管，目前新產(chǎn)品已進入投產(chǎn)前的最后開發(fā)階段。ST將協(xié)助Velox公司完成產(chǎn)品開發(fā)，進行產(chǎn)品合格性測試，并負責產(chǎn)品的市場營銷。 在合作協(xié)議的第一階段，ST計劃進行產(chǎn)品測試，確保所有的二極管合格，然后通過該公司的全球銷售渠道，推銷帶有Velox商標的GaN肖特基二極管。在第二階段，Velox和ST期望成為該產(chǎn)品正式雙貨源。Velox正在向ST授權該器件的制造技術，以便在第二貨源制造該產(chǎn)品。兩家公司正在同步雙方的制造和質(zhì)量系統(tǒng)。同步工作可能會延遲Velox原定的產(chǎn)品投產(chǎn)時間，但是，時間上的延遲將會確保GaN二極管供貨的連續(xù)性和靈活性。 “兩家公司均認為，GaN產(chǎn)品在中遠期內(nèi)是600V電源器件市場上最佳的折衷方案之一，”意法半導體專用分立器件產(chǎn)品部總經(jīng)理RicardodeSaEARP表示，“我們相信與Velox達成的這項交易使ST能夠用最少的研發(fā)資金迅速推出新的快速增長的產(chǎn)品線。” “我們與ST達成的協(xié)議將有助于Velox滿足客戶對可

意法半導體(ST)和Velox半導體公司宣布在市場上聯(lián)合推出GaN(氮化鎵)肖特基二極管的合作銷售協(xié)議。成為市場上公認的GaN肖特基二極管雙貨源供應商是兩家公司共同的長遠目標。GaN二極管使設備廠商能夠設計和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的計算機、消費電子和工業(yè)產(chǎn)品用開關電源(SMPS)。 兩家公司都認為ST和Velox的互補性技能將會加快關鍵技術的開發(fā)，提高合作項目的成功概率，讓雙方籌借到所需的資金，提高產(chǎn)品的數(shù)量和質(zhì)量。Velox正在開發(fā)600V的GaN肖特基二極管，目前新產(chǎn)品已進入投產(chǎn)前的最后開發(fā)階段。ST將協(xié)助Velox公司完成產(chǎn)品開發(fā)，進行產(chǎn)品合格性測試，并負責產(chǎn)品的市場營銷。 在合作協(xié)議的第一階段，ST計劃進行產(chǎn)品測試，確保所有的二極管合格，然后通過該公司的全球銷售渠道，推銷帶有Velox商標的GaN肖特基二極管。在第二階段，Velox和ST期望成為該產(chǎn)品正式雙貨源。Velox正在向ST授權該器件的制造技術，以便在第二貨源制造該產(chǎn)品。兩家公司正在同步雙方的制造和質(zhì)量系統(tǒng)。 同步工作可能會延遲Velox原定的產(chǎn)品投產(chǎn)時間，但是，時間上的延遲將會確保GaN二極管供貨的連續(xù)性和靈活性。 GaN是一種寬帶隙的半導體材料，目前通常用于光電應用領域，以及大功率器件和高頻產(chǎn)品。在開關電源應用中，GaN產(chǎn)品有助于實現(xiàn)頻率更高的功率因數(shù)校正電路，因為在效能、產(chǎn)品尺寸、低噪聲、更小的散熱器以及更高的良率方面，GaN這些產(chǎn)品具有優(yōu)勢。 GaN的應用為用戶帶來很多好處，例如，它可以降低二極管和MOSFET的開關功耗，因為在關斷階段無電壓過沖，所以不再需要有源吸能組件，它還能提高能

世界功率管理技術領袖國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出四款新型FlipKY(tm)肖特基二極管。與業(yè)界普通標準的肖特基器件相比，它們的體積更小，工作效率更高。這些新型0.5A和1.0A器件采用節(jié)省空間的芯片級封裝(CSP)，最適于空間受限的手持和便攜設備，如移動電話、智能電話、MP3播放器、PDA和微型硬盤驅(qū)動器，應用范圍包括電流調(diào)節(jié)、ORing及升壓和續(xù)流電路。 30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均屬于0.5A器件，兩者都采用緊湊的3焊球芯片級封裝，只占用1.1平方毫米的電路板空間，高度也只有0.6毫米。與業(yè)界標準的SOD-123封裝肖特基二極管相比，IR的這款新型0.5AFlipKY器件所占空間減少了80%，而熱性能改善了40%。 30V的IR130CSP和40V的IR1H40CSP均屬于1A的BGA器件，只占用2.3平方毫米的電路板空間，約為JEDECDO-216AA封裝所占面積的三分之一，但是卻具有相同的電性能和熱性能。 IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“手持和便攜設備的功能與日俱增，體積則不斷減小，因此需要小巧的功率管理器件相配合。IR的FlipKY系列器件更加小巧輕薄，有助于設計人員滿足未來產(chǎn)品開發(fā)的需要?！?FlipKY(tm)封裝技術要點 IR的FlipKY芯片尺寸封裝技術省卻了傳統(tǒng)器件封裝的引線框、環(huán)氧和模塑化合物，并能在硅片的一面提供所有的電氣連接。這種設計不但能減少電路板空間和器件高度，還可以降低寄生電感。在LCD顯示器或LED驅(qū)動器升壓轉(zhuǎn)換器等高頻開關應用中，寄生電感越低，電壓尖峰和開

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非?？欤悍聪蚧謴蜁r間特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 肖特基二極管(Schottky Diodes)： 肖特基二極管利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。它的主要特點是具有較低的正向壓降（0.3V至0.6V）；另外它是多子參與導電，這就比少子器件有更快的反應速度。肖特基二極管常用在門電路中作為三極管集電極的箝位二極管，以防止三極管因進入飽和狀態(tài)而降低開關速度。 肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特

英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ! SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開關頻率和輕負載條件下提升整個系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產(chǎn)品。 SiC肖特基二極管的主要應用領域是開關模式電源（SMPS）的有源功率因數(shù)校正（CCM PFC）和太陽能逆變器與電機驅(qū)動器等其他AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換應用。 相對于第二代產(chǎn)品，英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開關損耗。例如，工作頻率為250 kHz的1kW功率因數(shù)校正級在20%負載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開關頻率允許使用成本更低、更小的無源組件（如電感和電容器），實現(xiàn)更高功率密度設計。更低的功耗也降低了對散熱器和風扇的尺寸和數(shù)量要求，從而降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應用的系統(tǒng)成本降低20%。 英飛凌工業(yè)及多元化ic37部高壓MOS業(yè)務負責人Andreas Urschitz指出：“英飛凌在全球范圍內(nèi)率先提供SiC肖特基二極管，于2001年推出首批產(chǎn)品。近8年來，英飛凌在多個方面對碳化硅肖特基二極管技術進行了眾多重大改進，例如浪涌電流穩(wěn)定性、開關性能和產(chǎn)品成本，使SiC技術惠及更多應用，并且降低了解決方案成本。SiC是一種真正的創(chuàng)新技術，有助于對抗全球氣候變化，推動太陽能和

MDD（Metal-Diode-Dielectric）肖特基二極管是一種常用于電源應用中的高性能二極管。在充電樁電源中使用MDD肖特基二極管可以有效降低功率損耗，提高整個DP83848IVVX系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。1. MDD肖特基二極管的特點：MDD肖特基二極管具有多種優(yōu)良特性，適合用于提高充電樁電源的效率和降低功率損耗：- 低反向漏電流：MDD肖特基二極管的反向漏電流很小，有助于減少靜態(tài)功耗并提高整個系統(tǒng)的效率。- 高開關速度：MDD肖特基二極管具有快速的開關特性，能夠減小開關過程中的能量損耗，降低降壓和整流電路中的損耗。- 低導通壓降：MDD肖特基二極管在導通狀態(tài)時具有較低的壓降，減少了功耗，提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。- 良好的熱特性：MDD肖特基二極管的熱特性好，可以更好地耐受高溫環(huán)境，減少因溫度升高而引起的性能變化和故障風險。2. MDD肖特基二極管在充電樁電源中的應用：在充電樁電源中，MDD肖特基二極管可以用于電源開關、電源逆變、電源濾波等各個環(huán)節(jié)，以提高整個充電樁系統(tǒng)的性能。具體包括：- 充電樁的開關功率器件：MDD肖特基二極管可用作開關管，實現(xiàn)充電樁中的能量轉(zhuǎn)換和控制，通過開關減小功耗。- 逆變器：在逆變器中，MDD肖特基二極管用于有效地將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能，提高能源利用率。- 濾波電路：MDD肖特基二極管可用于濾波電路中，幫助減小電壓脈動和電磁干擾，提供穩(wěn)定的電源輸出。3. MDD肖特基二極管的優(yōu)勢帶來的效果：通過在充電樁電源中應用MDD肖特基二極管，可以獲得諸多益處，包括但不限于：- 降低功率損耗：MDD肖特基二極管的低反向漏電流和低導通壓降有助于降低功率損耗

快恢復二極管（Fast Recovery Diode）和肖特基二極管（Schottky Diode）是電子元件領域中兩種常見的BTS3118N二極管，它們都具有快速導電的特性，但在結構、工作原理以及應用領域上有著明顯的不同。理解這些差異有助于判斷它們是否可以互換使用?？旎謴投O管快恢復二極管是一種特殊設計的PN結二極管，它針對普通二極管恢復時間較長的問題進行了改進，使其可以在高頻電路中使用，減少開關時產(chǎn)生的能量損失?？旎謴投O管通常用于變頻器、開關電源、逆變電路等高頻電路中。它的主要特點是具有較短的反向恢復時間（trr），可以實現(xiàn)快速切換，但相較于肖特基二極管，快恢復二極管的正向壓降較大，反向漏電流較小。肖特基二極管肖特基二極管采用金屬與半導體之間的肖特基勢壘來形成導電通道，與傳統(tǒng)的PN結二極管相比，具有更低的正向?qū)▔航岛透斓那袚Q速度。肖特基二極管非常適合作為電源整流器件，特別是在低壓應用中表現(xiàn)出色。它的反向恢復時間極短，幾乎可以忽略不計，但缺點是在高溫下反向漏電流較大，且反向耐壓一般不高。是否可以互換快恢復二極管和肖特基二極管雖然在某些性能上有交叉（如快速開關特性），但它們的核心優(yōu)勢和適用場景有所不同。因此，它們是否可以互換使用，需要根據(jù)具體的應用場景和要求來決定：1.正向壓降和效率要求：如果應用對正向壓降和效率有嚴格要求，肖特基二極管通常是更好的選擇。2.反向耐壓和漏電流：在需要較高反向耐壓和較小漏電流的應用中，快恢復二極管可能更加合適。3.工作頻率：對于高頻應用，兩者都可以考慮，但具體選擇取決于正向壓降、反向恢復時間和其他參數(shù)的綜合考慮。4.溫度特性：如果應用環(huán)境溫度

三端肖特基二極管，也叫做"多層結構雙極耦合結雙柵MOSFET"，是一種EP20K200EFC484-3半導體器件，可用于高頻放大、開關、混頻等電路中。在判斷三端肖特基二極管好壞之前，我們首先需要了解三端肖特基二極管的結構和原理。然后，我們可以通過來判斷其好壞。三端肖特基二極管的結構與普通肖特基二極管類似，但新增了一個控制柵極。它由一個N型半導體材料作為陽極，一個P型半導體材料作為陰極，并在兩者之間嵌入一個金屬或N型區(qū)域作為柵極。這樣的結構使得柵極能夠控制陽極-陰極之間的電流流動。三端肖特基二極管的工作原理基于肖特基勢壘的形成。當柵極電壓為正且高于閾值電壓時，柵極和陰極之間形成一個正向偏置勢壘，在陽極和陰極之間形成一個擊穿電場，電流可流經(jīng)陽極和陰極之間的“場”區(qū)域。當柵極電壓為負和接近零時，勢壘消失，電流無法通過。三端肖特基二極管的優(yōu)點在于其具有較低的開啟電壓和較高的開關速度。它的開啟電壓一般在400mV左右，這意味著它的導通特性比普通二極管更好。此外，由于它具有肖特基結，所以具有快速恢復和低反向恢復電流的特性，使得其開關速度明顯快于普通二極管。判斷三端肖特基二極管（也稱為混合接面二極管）的好壞通?？梢詤⒖家韵聨讉€方面：1.正向壓降與反向漏電流： 正常工作時，肖特基二極管在正向偏置下應有較小的正向壓降（通常在0.2V以下），而在反向偏置下應有很小的反向漏電流。通過使用萬用表的二極管測試功能，可以測量二極管的正向壓降和反向漏電流，若正向壓降過大或反向漏電流過大，則可能表示二極管存在問題。2.反向擊穿電壓： 肖特基二極管具有較高的反向擊穿電壓，可以承受較高的反

肖特基二極管（Schottky diode）是一種常見的二極管。它具有一些獨特的特性，使其在許多電子應用中得到廣泛應用。以下是肖特基二極管的四個重要特性：1、低電壓降（Low Voltage Drop）：肖特基二極管具有較低的正向電壓降（正向壓降通常在0.2至0.4伏之間），相對于普通的l4960整流二極管（如硅二極管）而言，其正向電壓降更低。這使得肖特基二極管更適合于需要較低電壓降的應用，因為這有助于減少功耗和熱量產(chǎn)生。2、快速開關速度（Fast Switching Speed）：肖特基二極管的開關速度非?？臁Ｋ哂休^低的反向恢復時間（Reverse Recovery Time, Trr），通常在納秒級別。這種快速開關特性使肖特基二極管非常適合需要高頻率和高速開關的應用，例如功率放大器、開關電源和無線通信設備。3、低反向漏電流（Low Reverse Leakage Current）：相比較普通的整流二極管，肖特基二極管具有更低的反向漏電流。這意味著在反向偏置時，肖特基二極管的電流流過較小，從而降低了功耗和熱量產(chǎn)生。這種特性使得肖特基二極管特別適用于低功耗和高效率的電子設備，例如太陽能電池板和可穿戴設備。4、高溫穩(wěn)定性（High Temperature Stability）：肖特基二極管在高溫環(huán)境下具有較高的穩(wěn)定性。相比較普通的整流二極管，肖特基二極管能夠在高溫下工作，而不會出現(xiàn)過多的性能退化。這使得它在高溫應用中非常有用，例如汽車電子、航空航天和工業(yè)控制系統(tǒng)?？偨Y起來，肖特基二極管的四個主要特性是低電壓降、快速開關速度、低反向漏電流和高溫穩(wěn)定性。這些特性使得肖特基二極管在許

普通硅二極管和肖特基二極管是兩種常見的MURS360T3G二極管類型，它們在結構、工作原理、特性和應用上存在一些區(qū)別。下面將詳細介紹普通硅二極管和肖特基二極管的異同。1、結構差異：普通硅二極管是一種PN結二極管，由P型和N型硅材料組成。當P型區(qū)域與N型區(qū)域之間形成了一個結（PN結），它會產(chǎn)生一個電勢差，稱為內(nèi)建電勢。當外加正向電壓施加在PN結上時，P型區(qū)域的正電荷會被施加的電場推向N型區(qū)域，形成一個電荷云。這使得電子從N型區(qū)域向P型區(qū)域移動，并產(chǎn)生電流。但當外加反向電壓施加在PN結上時，P型區(qū)域的正電荷被吸引到N型區(qū)域，阻止電子流動，形成一個很高的電阻。肖特基二極管是由N型硅和金屬材料（如鉻、鋁、鎢等）組成的。其中，N型區(qū)域是由五價摻雜劑摻雜的硅材料組成，金屬材料被用作P型區(qū)域，形成了一個金屬-半導體接觸。2、工作原理差異：普通硅二極管的工作原理是基于PN結的整流效應。當半導體二極管的正向電壓大于二極管的閾值電壓時，電流可以流過二極管，形成正向偏置；當半導體二極管的反向電壓大于二極管的閾值電壓時，電流無法流過二極管，形成反向偏置。肖特基二極管的工作原理是基于肖特基結的肖特基效應。在肖特基二極管中，金屬與半導體的接觸處形成了一個勢壘，當勢壘處于正向偏置時，電子會從金屬向半導體注入，形成電流；當勢壘處于反向偏置時，電子無法從金屬向半導體注入，形成截止狀態(tài)。3、電壓特性差異：普通硅二極管在正向偏置電壓下，具有一個固定的正向電壓降，稱為正向壓降。一般來說，正向壓降約為0.6V至0.7V。在反向偏置電壓下，普通硅二極管具有一個較高的反向擊穿電壓，超過該電壓會導致電流大幅度增加。肖特基二極

肖特基二極管（Schottky diode）和普通二極管（ordinary diode）是兩種常見的電子元件，它們之間有一些重要的區(qū)別。以下是肖特基二極管和普通二極管在結構、工作原理和應用方面的區(qū)別：1、結構：肖特基二極管：肖特基二極管S8050是由金屬和半導體材料（通常是硅或砷化鎵）組成的。金屬與半導體之間形成一個肖特基勢壘，這是由于金屬的低功函數(shù)和半導體的能帶結構之間的差異所致。普通二極管：普通二極管由兩個半導體材料（通常是硅或鍺）組成，其中一個材料是P型半導體，另一個是N型半導體。兩個半導體材料之間形成一個PN結，這是由于材料的摻雜差異所致。2、功能原理：肖特基二極管：肖特基二極管的工作原理基于肖特基勢壘的形成。當正向偏置時，金屬與P型半導體之間的勢壘被減小，電流可以流過。當反向偏置時，勢壘增大，使得很少的電流流過。普通二極管：普通二極管的工作原理基于PN結的形成。當正向偏置時，P區(qū)域的正電荷和N區(qū)域的負電荷相吸引，電流可以流過。當反向偏置時，P區(qū)域的負電荷和N區(qū)域的正電荷相吸引，形成一個高的勢壘，阻止電流流動。3、特性：肖特基二極管：肖特基二極管具有快速開關速度和低的開啟電壓（通常為0.2V至0.5V），這使得它適用于高頻和高速應用。此外，它還具有較低的反向恢復時間和較低的反向漏電流。普通二極管：普通二極管具有較高的開啟電壓（通常為0.6V至0.7V），較慢的開關速度和較高的反向恢復時間。普通二極管的反向漏電流較高。4、應用：肖特基二極管：由于其快速開關速度和低的開啟電壓，肖特基二極管廣泛應用于高頻電路、高速電路、功率電路以及數(shù)字邏輯電路中。在這些應用中，肖特基二極管可

一、碳化硅肖特基二極管的原理碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。碳化硅肖特基二極管XC9572XL-10TQG100C的主要結構包括P型碳化硅（p-type SiC）和金屬端子。P型碳化硅作為陽極，金屬端子作為陰極，兩者之間形成了一個肖特基勢壘。當外加正向電壓時，勢壘被降低，電流得以流通，形成導通狀態(tài)；當外加反向電壓時，勢壘被加高，電流無法流通，形成截止狀態(tài)。由于碳化硅具有較高的擊穿電壓和較低的漏電流，因此碳化硅肖特基二極管具有較高的開關速度和較低的功耗。二、碳化硅肖特基二極管的應用碳化硅肖特基二極管具有高速、高溫、高功率等特性，在高頻電路、電源管理、光伏逆變器等領域有廣泛的應用。1、高頻電路碳化硅肖特基二極管具有極高的開關速度，可用于高頻電路中，如微波電路、射頻電路等。由于碳化硅肖特基二極管具有較低的串聯(lián)電阻和反向電容，因此能夠提高高頻電路的效率和可靠性。2、電源管理碳化硅肖特基二極管可用于電源管理中，如直流-直流變換器、交流-直流變換器等。由于碳化硅肖特基二極管具有較低的導通電阻和較低的開關損耗，因此能夠提高電源管理系統(tǒng)的效率和功率密度。3、光伏逆變器碳化硅肖特基二極管可用于光伏逆變器中，用于將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。由于碳化硅肖特基二極管具有較高的開關速度和較低的開關損耗，因此能夠提高光伏逆變器的效率和可靠性。4、電動汽車碳化硅肖特基二極管可用于電動汽車中，如電池管理、電機控制等。由于碳化硅肖特基二極管

二極管是一種最簡單的半導體器件，它由兩個不同類型的半導體材料組成，即P型半導體和N型半導體?？旎謴投O管和肖特基二極管都是二極管的一種，它們的區(qū)別主要在于其工作原理和應用領域。一、快恢復二極管快恢復二極管是一種具有快速恢復時間的ADM485ARZ二極管，其特點是具有快速的反向恢復時間和低反向恢復電流?？旎謴投O管的結構與普通二極管相似，但其P型區(qū)和N型區(qū)之間插入了一層高摻雜的P+區(qū)或N+區(qū)，這種結構使得電荷載流子的擴散速度加快，因此具有快速的反向恢復特性。快恢復二極管的應用領域廣泛，例如逆變器、電源、電機驅(qū)動器、電子變壓器、高速開關等。由于其快速的反向恢復時間和低反向恢復電流，可以在高頻率和高電壓的電路中使用，以提高電路效率和穩(wěn)定性。二、肖特基二極管肖特基二極管是一種具有低正向壓降和快速開關速度的二極管，它是由金屬與半導體PN結組成的。與快恢復二極管不同，肖特基二極管的P型區(qū)是由金屬與半導體PN結組成的，這種結構使得正向電壓下的載流子擴散速度加快，因此具有低正向壓降和快速開關速度的特性。肖特基二極管的應用領域主要集中在低壓、低功耗的電路中，例如電源、放大器、逆變器、開關電源等。由于其低正向壓降和快速開關速度，可以在低功耗的電路中使用，以提高電路效率和穩(wěn)定性。三、快恢復二極管與肖特基二極管的比較1、材料組成二極管由兩個不同類型的半導體材料組成，而肖特基二極管由金屬和半導體材料組成。2、極性二極管是一種單向?qū)щ娫?，只允許電流在一個方向上流動。而肖特基二極管也是一種單向?qū)щ娫?，但它可以在低電壓下工作，具有更快的響應速度和更低的噪聲?、正向偏置在正向偏置下，二極管和肖特基二極管都

碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應用于電源、驅(qū)動、SN74CBTLV3257DBQR逆變器、電動汽車等領域。一、碳化硅肖特基二極管的基本原理碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結構與普通PN結二極管相似，但沒有PN結。它是由一個金屬反型接觸（Metal-Semiconductor）和一個P型碳化硅半導體組成的。當肖特基二極管正向偏置時，由于金屬反型接觸與P型碳化硅半導體之間的勢壘很小，因此只需要很小的電壓就可以使電子從半導體中流向金屬反型接觸。這就產(chǎn)生了一個高導電性的通道，使電流可以很容易地流過肖特基二極管。反向偏置時，碳化硅肖特基二極管沒有PN結，因此不存在PN結反向擊穿的問題，反向電流很小。碳化硅肖特基二極管的主要特點是具有低開啟電壓和高速開關能力。開啟電壓（Forward Voltage，VF）是指在正向偏置下，電流達到一定值時的電壓。碳化硅肖特基二極管的開啟電壓很低，通常在1V以下，這比硅肖特基二極管低得多。因此，碳化硅肖特基二極管可以在更低的電壓下工作，從而減小電源損耗。碳化硅肖特基二極管的高速開關能力是指其電流上升和下降的速度很快。這是由于碳化硅材料的載流子遷移率高，電子和空穴的遷移速度很快。這使得碳化硅肖特基二極管可以在高頻率下工作，從而實現(xiàn)更高的功率密度和更高的效率。二、碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點（1）高開關速度：碳化硅肖特基二極管的開關速度比傳統(tǒng)的硅肖特基二極管快10倍以上，可以實現(xiàn)高頻開關。（2）低漏電流：碳化硅肖特基二極管的漏電流比傳統(tǒng)

肖特基二極管是一種非常常見的半導體器件，它具有很多獨特的特性。本文將會介紹肖特基二極管的四大特性：快速恢復、低反向漏電流、低正向壓降和高頻特性。一、快速恢復特性肖特基二極管LM358DT有一個非常重要的特性，就是快速恢復。這意味著當肖特基二極管從導通狀態(tài)切換到截止狀態(tài)時，其恢復時間非常短，可以達到納秒級別。相比之下，普通的快恢復二極管通常需要幾十納秒的恢復時間。這是因為肖特基二極管的結構比快恢復二極管更簡單。肖特基二極管的結構由一個P型半導體和一個N型半導體組成，兩者之間沒有PN結，因此不存在PN結的載流子復合問題。這樣就避免了快恢復二極管中的電荷注入和電荷積累問題，使得肖特基二極管的恢復速度更快?？焖倩謴吞匦允沟?span style=" color:green;">肖特基二極管非常適合高頻、高速電路的應用，比如電源開關、電機驅(qū)動、LED驅(qū)動等。在這些應用中，肖特基二極管可以快速地切換電流，從而實現(xiàn)高效、低損耗的電能轉(zhuǎn)換。二、低反向漏電流特性肖特基二極管的另一個重要特性是低反向漏電流。正常情況下，PN結二極管的反向漏電流很小，但是當PN結反向電壓增大時，反向漏電流會急劇增加。這是因為在高反向電壓下，PN結中的載流子會被加速，足以穿過勢壘，從而形成反向電流。相比之下，肖特基二極管的反向漏電流要小得多。這是因為肖特基二極管的結構中沒有PN結，因此不存在勢壘高度的問題。此外，肖特基二極管的結構中還加入了金屬-半導體接觸，這進一步降低了反向漏電流。低反向漏電流特性使得肖特基二極管非常適合一些高精度、低功耗的應用，比如精密測量、醫(yī)療設備等。在這些應用中，對于反向電流的要求非常高，因此需要使用低反向漏電流的器件。三、低正向壓降特性肖特基二極管

日前消息，據(jù)外媒報道，碳化硅（SiC）功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。 科銳1700V Z-Rec肖特基二極管從根本上消除了硅PiN二極管替代品中存在的反向恢復損耗，能夠使系統(tǒng)實現(xiàn)超高效率并且更小、更輕，同時提高了整體的可靠性。此次發(fā)布的全新封裝產(chǎn)品采用1700V Z-Rec技術，進一步提升分立器件設計低功率應用的性能并且節(jié)約系統(tǒng)成本。 科銳功率與射頻（RF）副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 表示：“科銳1700V碳化硅肖特基二極管是高效電力電子系統(tǒng)的理想選擇。它擁有業(yè)經(jīng)驗證的科銳Z-Rec碳化硅肖特基二極管的所有優(yōu)勢——包括零反向恢復損耗，不受溫度影響的開關以及在更高頻率下工作?！?1700V裸芯片已經(jīng)提供給自主設計定制電源模組的客戶進行使用。而新型TO-247-2封裝能夠使客戶充分運用低功率1700V設計的碳化硅的優(yōu)勢，在選擇電流級別時擁有更大的設計靈活性，并加快產(chǎn)品上市時間。 Balkas進一步指出：“1700V碳化硅肖特基二極管為高壓電源應用領域的設計工程師提供了諸多優(yōu)勢。碳化硅二極管能夠?qū)崿F(xiàn)最大電源效率和更好的電磁干擾（EMI）性能。開關損耗的改善則能夠提高系統(tǒng)頻率，從而縮小電磁性和電容性器件的尺寸，并且能夠使得系統(tǒng)整體尺寸、重量和成本都將顯著減少。此外，1700V碳化硅二極管可以消除多個低電壓硅二極管的疊加使用，從而能夠減少器件數(shù)量，提高散熱性能和可靠性?！?科銳C3Dxx170H新型碳化硅二極管系列的額定電流/電壓分別為10A

碳化硅 (SiC) 功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應用中推廣。科銳創(chuàng)始人之一兼功率和無線射頻(RF)產(chǎn)品研發(fā)部門首席技術官 John Palmour 指出：“為了開發(fā)新一代功率電子產(chǎn)品，設計工程師正在發(fā)掘碳化硅肖特基二極管特有的性能優(yōu)勢，包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關損耗以及能在更高頻率下工作等，都能支持更低的電磁干擾(EMI)信號。在不影響性能的前提下，該全新系列二極管可以實現(xiàn)比前一代碳化硅肖特基二極管更高的電流密度和更強的電子雪崩性能?？其J近期在器件設計方面的創(chuàng)新和對工藝改進矢志不渝的努力，讓我們能夠在降低每安培成本的同時提供更高的額定電流值?！笨其JZ-Rec二極管具有零反向恢復損耗特性，與同類硅二極管相比，開關損耗可銳減 50%。該產(chǎn)品在運行溫度范圍內(nèi)具有高度一致的開關性能，可以簡化電路設計并能省去復雜的散熱器系統(tǒng)設計。在與科銳近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用時，這些碳化硅肖特基二極管可以實現(xiàn)全碳化硅功率電子線路的運行，其運行的開關頻率較傳統(tǒng)硅二極管和 IGBT 可高出四倍。不僅可以縮小逆變器應用電路的尺寸，降低逆變器電路的復雜程度和成本，還能達到極高的系統(tǒng)效率。與上一代碳化硅肖特基二極管相比，該系列產(chǎn)品的優(yōu)勢在于具有更高的浪涌額定值和電子雪崩性能，可以幫助提高系統(tǒng)整體的可靠性。該系列產(chǎn)

應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 開關損耗也保持最低。 安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用于服務器、電信網(wǎng)絡設施、個人計算機(PC)、筆記本電腦及游戲機的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換、負載點(POL)轉(zhuǎn)換及低端開關操作。 安森美半導體功率MOSFET業(yè)務部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“集成肖特基二極管借助于集成在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區(qū)時間導電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的器件為客戶提供更寬陣容的產(chǎn)品及方案，解決他們獨特的設計挑戰(zhàn)?！? 封裝及價格 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些器件每10,000片批量的價格為0.45美元至0.90美元。 更多信息請訪問。

隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢， 飛兆半導體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件 FDZ3N513ZT ，占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT 是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。 該解決方案對各種動態(tài)特性作出仔細精確的優(yōu)化，實現(xiàn)很低的開關損耗，從而使手機應用擁有相當高的轉(zhuǎn)換效率和更長的電池壽命。 FDZ3N513ZT 結合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nC)，以提高升壓轉(zhuǎn)換器設計的效率。 FDZ3N513ZT 采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節(jié)省60%的板上占位空間。 飛兆半導體是移動技術領域的領導廠商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全面的 先進MOSFET 系列的一部分，能夠滿足業(yè)界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。 價格： 訂購1,000個，單價為0.75美元 供貨： 現(xiàn)提供樣品 交貨期 ：收到訂單后12周

隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。 該解決方案對各種動態(tài)特性作出仔細精確的優(yōu)化，實現(xiàn)很低的開關損耗，從而使手機應用擁有相當高的轉(zhuǎn)換效率和更長的電池壽命。 FDZ3N513ZT結合了一個30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nC)，以提高升壓轉(zhuǎn)換器設計的效率。 FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節(jié)省60%的板上占位空間。 飛兆半導體是移動技術領域的領導廠商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全面的先進MOSFET系列的一部分，能夠滿足業(yè)界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。 價格: 訂購1,000個，單價為0.75美元 供貨: 現(xiàn)提供樣品 交貨期 ：收到訂單后12周

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息REACH - SVHC:詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SMA-2配置:Single技術:SiIf - 正向電流:3 AVrrm - 重復反向電壓:40 VVf - 正向電壓:450 mVIfsm - 正向浪涌電流:100 AIr - 反向電流 :300 uA最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:MBRA340封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2 mm長度:4.32 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:5000子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Diode寬度:2.6 mm單位重量:130 mg

   MBR2H200SFT1G 規(guī)格：    Brand Name    onsemi    是否無鉛     不含鉛    生命周期    Active    Objectid    8357345338    零件包裝代碼    SOD-123FL 2 LEAD    包裝說明    SOD-123FL, 2 PIN    制造商包裝代碼    498-01    Reach Compliance Code    not_compliant    Country Of Origin    Malaysia    ECCN代碼    EAR99    Factory Lead Time    73 weeks    風險等級    1.5    Samacsys Description    Surface Mount Schottky Power Rectifier    Samacsys Manufa

WAYON VDMOS系列可顯著降低導通電阻和超低柵極電荷，適合要求高功率密度和高效率的應用。其產(chǎn)品規(guī)格涵蓋500伏至1500伏。它廣泛和穩(wěn)定地用于SMPS，充電器，DC-DC等產(chǎn)品。它非常穩(wěn)定，符合RoHS標準。 重置上海長園維安/深圳市聯(lián)大電子有限公司(總代理）廖雪花：電話13670166496  QQ1046342124微信：13670166496（廣東辦事處）地址：深圳市龍華區(qū)民治布龍路荔苑大廈B座1005室WR1117A-50A70RGDTN2RS5-90WMO07N60C2WMO07N65C2WMK07N65C2WMK09N60C2WMK09N65C2WML09N65C2WML09N70C2WML10N65C2WMF10N65C2 WMP11N70C2  WML11N70C2 WMK13N50C2WMM14N65C2WMO20N65C2WMK26N60C2WML07N65C2WMK20N65C2WML11N60C2WMO15N10T1WML10N70EM  WMK340N20HG2WMR09N02T1 WML26N65SRWML10N70C4 WM06N30MWML18N50C4  WML16N60FDWMK099N10LG2WML80R480SWMK043N10HGDWMK043N10HGDWMK040N08HGSWMK040N08HGSWMO05N80M3WMK053NV8HGSWMK060N10LGSWMK060N10LGSWML06N80M3WML0

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3配置:Single Dual Anode技術:SiIf - 正向電流:8 AVrrm - 重復反向電壓:35 VVf - 正向電壓:510 mVIfsm - 正向浪涌電流:75 AIr - 反向電流 :1.4 mA最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C系列:MBRD835L封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2.38 mm長度:6.73 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Diode寬度:6.22 mm零件號別名:MBRD835LG單位重量:260.400 mg

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SMB-2配置:Single技術:SiIf - 正向電流:3 AVrrm - 重復反向電壓:200 VVf - 正向電壓:860 mVIfsm - 正向浪涌電流:100 AIr - 反向電流 :1 mA最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C系列:MBRS3200封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2.13 mm長度:4.32 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Diodes & Rectifiers類型:Schottky Diode寬度:3.56 mm單位重量:180 mg

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SMB-2配置:Single技術:SiIf - 正向電流:2 AVrrm - 重復反向電壓:40 VVf - 正向電壓:540 mVIfsm - 正向浪涌電流:25 AIr - 反向電流 :2 mA最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C系列:MBRS240L封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2.13 mm長度:4.32 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Diodes & Rectifiers類型:Schottky Diode寬度:3.56 mm單位重量:180 mg

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3配置:Dual Anode Common Cathode技術:SiIf - 正向電流:6 AVrrm - 重復反向電壓:40 VVf - 正向電壓:900 mVIfsm - 正向浪涌電流:75 AIr - 反向電流 :100 uA最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 175 C系列:MBRD640CT封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2.38 mm長度:6.73 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Diode寬度:6.22 mm零件號別名:MBRD640CTG單位重量:470 mg

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3配置:Dual Anode Common Cathode技術:SiIf - 正向電流:6 AVrrm - 重復反向電壓:60 VVf - 正向電壓:900 mVIfsm - 正向浪涌電流:75 AIr - 反向電流 :100 uA最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 175 C系列:MBRD660CT封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:2.38 mm長度:6.73 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:1800子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Diode寬度:6.22 mm零件號別名:MBRD660CTG單位重量:260.400 mg

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3配置:Dual技術:SiIf - 正向電流:200 mAVrrm - 重復反向電壓:30 VVf - 正向電壓:800 mVIfsm - 正向浪涌電流:600 mAIr - 反向電流 :2 uA最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:BAT54SL封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:onsemi高度:0.94 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:3000子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Diode寬度:1.3 mm單位重量:30 mg

制造商:ROHM Semiconductor產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Diodes安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263S-3配置:Dual Anode Common Cathode技術:SiIf - 正向電流:40 AVrrm - 重復反向電壓:60 VVf - 正向電壓:600 mVIfsm - 正向浪涌電流:100 AIr - 反向電流 :800 uA最大工作溫度:+ 150 C資格:AEC-Q101封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:ROHM Semiconductor產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:1000子類別:Diodes & RectifiersVr - 反向電壓 :60 V零件號別名:RBR40NS60AFH

BAT54HT1G 肖特基二極管 ON 品牌：ON封裝：SOD-363制造商：ON Semiconductor產(chǎn)品種類：肖特基二極管與整流器RoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：SOD-323-2If - 正向電流：200 mAVrrm - 重復反向電壓：30 VVf - 正向電壓：0.52 VIfsm - 正向浪涌電流：600 mA配置：SingleIr - 反向電流：0.5 uA最小工作溫度：- 55 C最大工作溫度：+ 150 C系列：BAT54H高度：0.9 mm長度：1.7 mm工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C端接類型：SMD/SMT寬度：1.25 mmPd-功率耗散：200 mWtrr - 反向恢復時間：5 nsVr - 反向電壓：30 V單位重量：33 mg可售賣地：全國型號：BAT54HT1G

制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:Schottky Rectifiers安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SMA (DO-214AC)配置:Single技術:SiIf - 正向電流:2 AVrrm - 重復反向電壓:30 VVf - 正向電壓:500 mVIfsm - 正向浪涌電流:50 AIr - 反向電流 :500 uA最小工作溫度:- 65 C最大工作溫度:+ 150 C系列:B220/A - B260/A封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Diodes Incorporated高度:2.1 mm長度:4.6 mm產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers工廠包裝數(shù)量:5000子類別:Diodes & Rectifiers端接類型:SMD/SMT類型:Schottky Barrier Rectifier寬度:2.92 mm單位重量:64 mg

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BAT54SG UTC/友順 肖特基二極管特點：直流反向耐壓(Vr)：30V 平均整流電流(Io)：200mA 正向壓降(Vf)：專業(yè)代理銷售電容式觸摸芯片 電源管理芯片 單片機 MOS管 IKSEMI一級代理    深圳市奧偉斯科技有限公司是一家專注觸摸芯片,單片機,電源管理芯片,語音芯片,場效應管,顯示驅(qū)動芯片,網(wǎng)絡接收芯片,運算放大器,紅外線接收頭及其它半導體產(chǎn)品的研發(fā),代理銷售推廣的高新技術企業(yè).  奧偉斯科技自成立以來一直致力于新半導體產(chǎn)品在國內(nèi)的推廣與銷售,年銷售額超過壹億人民幣是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的專業(yè)電子元器件代理商.  本公司代理推廣的一系列優(yōu)秀觸摸芯片及語音芯片，現(xiàn)以大批量應用到智能電子鎖、飲水機、電飯煲、LED臺燈等控制器為顧客提供最佳解決方案，受到廣大客戶的一致贊譽。  奧偉斯科技優(yōu)勢行業(yè)集中在家用電器和汽車電子領域，包括：智能電子鎖、飲水機、抽煙機、空調(diào)、洗衣機、冰箱、洗碗機、電飯煲、電磁爐、微波爐、電動自行車、汽車儀表、汽車音響、汽車空調(diào)等。銷售網(wǎng)絡覆蓋華東、華南及華北地區(qū)。   奧偉斯科技已為眾多世界著名企業(yè)提供服務如：美的、小米、云米、長虹、創(chuàng)維、三星、LG、飛利浦、TCL、海爾、美菱、沁園、等眾多中國一流品牌電家廠商   奧偉斯科技提供專業(yè)的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯片配套:低功耗觸摸芯片 低功耗單片機 馬達驅(qū)動芯片 顯示驅(qū)動芯片 刷卡芯片 時針芯片 存儲芯片 語音芯片 低壓MOS管 TVS二極管主要品牌產(chǎn)品:OWEIS-TECHOWE