BAT54C 二極管是如何工作的？這是一個多電源供電的電路：Vcc是正常供電電源（如5V，由市電變換得到），電壓大于（Vcc1-Vf），正常供電時二極管不導通；Vcc1是電池供電電源，當Vcc撤掉時，DD1（上邊的二極管）導通，由Vcc1供電；當電池Vcc1耗盡或更換電池時（Vcc1低于3.6V-Vf），由3.6V電源供電，做數(shù)據(jù)保護之用。BAT54C的參數(shù)：VR≥30VVF≤1V（@IF=100mA）IFM=100mA這種二極管一般都是用來限制電壓的，不超過VCC1，不低于3.6v_VCCBAT54C基本信息所屬類別：半導體二極管二極管類型:肖特基電流:0.2A電壓:30V正向電壓:320mV時間:5ns工作溫度范圍:-65°C--+150°C封裝形式:SOT-23針腳數(shù):3溫度:125°C表面安裝器件:表面安裝應用范圍:功率功率特性:中功率頻率特性:高頻特性編輯低導通電壓快速開關esd保護反相擊穿電壓（ir=10）總電容 （vr= 1.0v, f=1.0兆赫）反相漏 （vr= 25v）正向電壓 （if=0.1mAdc)正向電流（DC）BAT54C絕對最大額定值BAT54C電氣特性：

激光二極管工作原理 一、激光的產(chǎn)生機理 在講激光產(chǎn)生機理之前,先講一下受激輻射.在光輻射中存在三種輻射過程,一時處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射; 二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射; 三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收. 自發(fā)輻射,即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光.在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣.任何的受激發(fā)光系統(tǒng),即有受激輻射,也有受激吸收,只有受激輻射占優(yōu)勢,才能把外來光放大而發(fā)出激光.而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢,只有粒子的平衡態(tài)被打破,使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)(這樣情況稱為離子數(shù)反轉),才能發(fā)出激光. 產(chǎn)生激光的三個條件是:實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足閾值條件和諧振條件.產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉,在半導體中就是要把價帶內(nèi)的電子抽運到導帶.為了獲得離子數(shù)反轉,通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結,這樣,在外加電壓作用下,在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉-在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子,而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴.實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,但不是充分條件.要產(chǎn)生激光,還要有損耗極小的諧振腔,諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,激活物質(zhì)所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,不斷引起新的受激輻射,

1．結構類型在PN結兩端各引出一個電極，再封裝在管殼里就構成半導體二極管，又稱晶體二極管，簡稱二極管(Diode)。從P區(qū)引出來的電極稱為陽極（或正極），從N區(qū)引出來的電極稱為陰極（或負極）。圖1.9所示力幾種常見二極管的外形。 二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)不同的用途，二極管可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。按照管芯結構，二極管又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個PN結。由于是點接觸，PN結面積較小，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于檢波和變頻等高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的PN結面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。 平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。二極管的電路符號，箭頭方向代表正向導通時的電流方向。 2．伏安特性既然二極管內(nèi)部是一個PN結，因此它當然具有WP92592L1單向導電性，其伏安特性曲線如圖1.11所示。處于第一象限的是正向特性曲線，處于第三象限的是反向特性曲線。 由圖1.11可見，二極管在外加正向電壓很低時，還不足以克服PN結內(nèi)電場對多數(shù)載流子運動的阻擋作用，二極管正向電流很小，幾乎為零，這一區(qū)域稱為死區(qū)。通常硅二極管的死區(qū)

二極管的結構：半導體二極管由一個PN結、電極引線外加密封管殼制成，具有單向導電性。其結構及電路符號。 1．二極管的分類1)按二極管結構分二極管可分為點接觸型和面接觸型兩種：點接觸型二極管常用于檢波和變頻等電路；面接觸型主要用于整流等電路中。 2)按二極管材料分二極管可分為鍺二極管和硅二極管：鍺二極管正向壓降為0.2～0.3V，硅二極管正向壓降為0.5～0.7V。 3)按二極管用途分二極管可分為普通PEB3065N3.1V二極管、整流二極管、開關二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管、穩(wěn)壓二極管和光電二極管等。常見二極管的外形如表2-6所示。 2．二極管的主要技術參數(shù)不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)，二極管的主要技術參數(shù)如下。 (1)最大正向電流IF。指二極管長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。 (2)最高反向工作電壓URM。指正常工作時，二極管所能承受的反向電壓的最大值。一般手冊上給出的最高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，目的是確保二極管安全運行。 (3)最高工作頻率fM。指晶體二極管能保持在良好工作性能條件下的最高工作頻率。 (4)反向飽和電流IS。指在規(guī)定的溫度和最高反向電壓的作用下，二極管沒有擊穿時流過二極管的反向電流。反向飽和電流越小，二極管的單向導電性能越好。 3．二極管的檢測用指針式萬用表R×100或RXlk擋測其正反向電阻，由二極管的單向導電性可知，測得阻值小時與黑表筆相接的一端為正極；反之，為負極。

(1)半導體二極管的分類 二極管類型很多。依據(jù)功率有大、中、小功率二極管；依據(jù)工作頻率有高、中、低頻二極管；依據(jù)材料有硅、鍺二極管；依據(jù)結構有點接觸、面接觸等。點接觸二極管的工作頻率高，但可承受電壓不高，允許通過的電流也小，多用于檢波、小電流整流或高頻開關電路；面接觸二極管的工作電流和能承受功率較大，但適用的頻率較低，多用于整流、穩(wěn)壓、低頻開關電路等；依據(jù)應用有普通、特殊二極管，普通二極管包括整流二極管、開關二極管、檢波二極管等，特殊二極管包括穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管等。(2)半導體二極管的型號命名 我國國標規(guī)定，半導體二極管、三極管型號由5個部分組成。第1部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)，“2”表示二極管，“3”表示三極管。第2部分：用字母表示器件的材料和極性，對于二極管有A、B、C、D四種，A、B、C、D分別表示N型鍺材料、P型鍺材料、N型硅材料、P型硅材料；對于三極管有A、B、C、D、E五種，A、B、C、D、E分別表示PNP鍺材料、NPN鍺材料、PNP硅材料、NPN硅材料、化合物材料，我國產(chǎn)品多為PNP鍺材料、NPN硅材料2種。第3部分：用字母表示器件的類別。例如，P（表示普通管）；V(表示微波管)；W（表示穩(wěn)壓管）；C(表示參量管)；Z(表示整流管)；L（表示整流堆）；S（表示隧道管）；N（表示阻尼管）；U（表示光電器件）；K（表示開關管）；X(表示低頻小功率管，功率小于1 W，特征頻率小于3 MHz)；G(表示高頻小功率管，功率小于1W，特征頻率大于3 MHz)；D(表示低頻大功率管，功率大于1W，特征頻率小于3 MHz)；A(表示高頻大功率管，功率

如圖所示的電路接線，其中R為必須接入的限流電阻，以防止電路中電流過大，損壞元件。當測定二極管的正向特性時，其正向電流不得超過35mA，二極管VD的正向電壓UV+可在0～0.75之間取值，在0.5～0.75V之間應多取幾個測量點。當測定二極管的反向特性時，反向電壓UV-的取值范圍是0～30V。測量數(shù)據(jù)記入表(a)(b)。 線性電阻、白熾燈伏安特性測量電路二極管、穩(wěn)壓管伏安特性測量電路 二級管正向伏安特性(a)二級管反向伏安特性(b)

CT---勢壘電容Cj---結（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結電容Cjo/Cjn---結電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC---電容溫度系數(shù)Cvn---標稱電容IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii---發(fā)光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調(diào)制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流ICM---最大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流IV---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM---控制

半導體二極管在電工電路中應用頗多。一旦原有二極管損壞，必須更換新管。對待換管的好壞可用如圖所示進行判斷。圖中，T為220／3V-2W電源變壓器，VD1、VD2為2CP10整流二極管， H1、H2為發(fā)光二極管，VDX為待測二極管。測試時，將VDX插入插座X1、 X2中，通電后，若其中有一只發(fā)光二極管發(fā)光，說明這只二極管是好的；若 H1、H2都發(fā)光，說明VDx已內(nèi)部短路；若兩只發(fā)光二極管都不亮，表明被測二極管內(nèi)部已經(jīng)開路。

半導體二極管是一種基本電子器件，廣泛應用于電子電路中。它由P型半導體和N型半導體組成，形成了一個P-N結。下面將對半導體二極管的概念、原理、特性以及應用進行詳細介紹。一、概念半導體二極管是一種具有非線性特性的電子元件，最早由德國物理學家F.布魯斯特（Ferdinand Braun）發(fā)明。它是由兩個相鄰但材料性質(zhì)不同的CD4073BE半導體構成，其中一側為P型半導體，另一側為N型半導體，兩者之間形成了一個P-N結。二、原理1. P-N結：P型半導體具有正電荷載流子（空穴），N型半導體具有負電荷載流子（電子）。當P型半導體與N型半導體通過晶體接觸形成P-N結時，會產(chǎn)生一個電勢壘。該電勢壘會阻礙電流在正向偏置條件下通過，但在反向偏置條件下允許電流通過。2. 正向偏置：當P型半導體連接于正極電源，N型半導體連接于負極電源時，P型半導體的空穴會向N型半導體擴散，N型半導體的電子會向P型半導體擴散，從而減小P-N結的電勢壘。這種情況下，半導體二極管呈現(xiàn)出低電阻狀態(tài)，允許電流流過。3. 反向偏置：當P型半導體連接于負極電源，N型半導體連接于正極電源時，P-N結的電勢壘增加，阻礙電流通過。此時，半導體二極管呈現(xiàn)出高電阻狀態(tài)，幾乎不允許電流流過。三、特性1. 整流作用：半導體二極管在正向偏置條件下具有整流作用，可以將交流信號轉換為直流信號。2. 電壓放大效應：在正向偏置條件下，半導體二極管的電壓與電流之間呈指數(shù)關系，即小電壓變化可引起較大電流變化，從而實現(xiàn)電壓放大的效果。3. 快速開關特性：半導體二極管由于結電容小、響應時間短，可實現(xiàn)快速的開關動作。四、應用半導體二極管廣泛應用于各類電子設備和電

市場一般預料，2006年全球與中國內(nèi)地半導體市場發(fā)展，會較05年好轉，但仍難有高增幅；然而，同屬半導體行業(yè)的內(nèi)地分立器件市場，未來仍會保持往年的雙位數(shù)增長；據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，去年中國內(nèi)地分立器件的產(chǎn)量，按年增長13.2%，實現(xiàn)銷售收入按年增31.4%。 分立器件生產(chǎn)包括了半導體芯片制造、封裝及測試，產(chǎn)品應用於家用電器等消費電子、電腦、網(wǎng)絡通信、電子儀器儀表、汽車電子、平板電視及電子照明等。 從事設計、開發(fā)、制造及銷售晶圓及二極管業(yè)務的銀河半導體(資訊 行情 論壇)，屬分立器件一類；銀河半導體主席楊森茂表示，集團銷售逾750個型號的二極管，該集團的商業(yè)模式及產(chǎn)品，與現(xiàn)時本港資本市場上的半導體上市公司，如中芯國際(資訊 行情 論壇)(0981-HK)及上海先進半導體(資訊 行情 論壇)(3355-HK)，并沒有可以相類或比較之處；晶圓制造屬上游業(yè)務，二極管生產(chǎn)則包括了晶圓制造及封裝；二極管在不同的電子產(chǎn)品上亦有不同功能，應用范圍廣泛；由於通用性極高，二極管的議價能力亦高。 該集團生產(chǎn)的二極管有四大種類，包括塑封、玻封、表面貼裝塑封及整流橋等；以有自有品牌營銷的二極管產(chǎn)品占該集去年度營業(yè)額約95%(其中塑封二極管占集團去年度營業(yè)額約80%)，代工產(chǎn)品僅約5%；85%的營業(yè)額貢獻自內(nèi)地客戶，約15%來自海外；內(nèi)地客戶包括TCL、康佳、長虹電子、熊貓電子、海信等，海外客戶包括三星、LG、佳能等。 楊森茂表示，由於二極管占電子成品的成本比例很小，但又是必需配件，故集團於二極管的議價能力頗高；二極管成本跟隨原材料銅的價格上漲，亦可轉嫁客戶；以平板電視為例，二極管

1．反向飽和漏電流IR 指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流，該電流與半導體材料和溫度有關。在常溫下，硅管的IR為納安（10-9A）級，鍺管的IR為微安（10-6A）級。 2．額定整流電流IF 指二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。目前大功率整流二極管的IF值可達1000A。 3.最大平均整流電流IO 在半波整流電路中，流過負載電阻的平均整流電流的最大值。這是設計時非常重要的值。 4.最大浪涌電流IFSM 允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。 5．最大反向峰值電壓VRM 即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的最大值是規(guī)定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前最高的VRM值可達幾千伏。 6.最大直流反向電壓VR 上述最大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的. 7．最高工作頻率fM 由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。點接觸式二極管的fM值較高，在100MHz以上；整流二極管的fM較低，一般不高于幾千赫。 8．反向恢復時間Trr 當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復時間。雖然它直接影響二極管的開關速度，但不一定說這個值小就好。也即當二極管由導通突然反向時

半導體二極管按其用途可分為：普通二極管和特殊二極管。普通二極管包括整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、快速二極管等；特殊二極管包括變?nèi)荻O管、發(fā)光二極管、隧道二極管、觸發(fā)二極管等。

一節(jié)學習要求 （1）了解半導體器件中擴散與漂移的概念、PN結形成的原理。 （2）掌握半導體二極管的單向導電特性和伏安特性。 （3）掌握二極管基本電路及其分析方法。 （4）熟悉硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓原理和主要參數(shù)。 第二節(jié)半導體的基本知識 多數(shù)現(xiàn)代電子器件是由性能介于導體與絕緣體之間的半導體材料制成的。為了從電路的觀點理解這些器件的性能，首先必須從物理的角度了解它們是如何工作的。 一、半導體材料 從導電性能上看，物質(zhì)材料可分為三大類： 導體：電阻率ρ109Ω·cm 半導體：電阻率ρ介于前兩者之間。 目前制造半導體器件的材料用得最多的有：硅和鍺兩種 二、本征半導體及本征激發(fā) 1、本征半導體 沒有雜質(zhì)和缺陷的半導體單晶，叫做本征半導體。 2、本征激發(fā) 當溫度升高時，電子吸收能量擺脫共價鍵而形成一對電子和空穴的過程，稱為本征激發(fā)。 三、雜質(zhì)半導體 在本征半導體中摻入微量的雜質(zhì)，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著的變化。因摻入雜質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可分為空穴（P）型半導體和電子（N）型半導體兩大類。 1、P型半導體 在本征半導體中摻入少量的三價元素雜質(zhì)就形成P型半導體，P型半導體的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是電子。 2、N型半導體 在本征半導體中摻入少量的五價元素雜質(zhì)就形成N型半導體。N型半導體的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。 第三節(jié)PN結的形成及特性 一、PN結及其形成過程 在雜質(zhì)半導體中， 正負電荷數(shù)是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。 1、載流子的濃度差產(chǎn)生的多子的擴散運動 在P型半導體和N型半導體結合后，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差，N型區(qū)內(nèi)的電子很多而空

CT---勢壘電容 Cj---結（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv---偏壓結電容 Co---零偏壓電容 Cjo---零偏壓結電容 Cjo/Cjn---結電容變化 Cs---管殼電容或封裝電容 Ct---總電容 CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC---電容溫度系數(shù) Cvn---標稱電容 IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 IF（AV）---正向平均電流 IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH---恒定電流、維持電流。 Ii---發(fā)光二極管起輝電流 IFRM---正向重復峰值電流 IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流） Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)---正向過載電流 IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID---暗電流 IB2---單結晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM---發(fā)射極峰值電流 IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流 ICM---最大輸出平均電流 IFMP---正向脈沖電流 IP---峰點電流 IV---谷點電流 IGT---晶閘管控制

Marktech 經(jīng)銷商 點光源 LEDMarktech 的點光源發(fā)射器半導體二極管通過輪廓分明的圓形區(qū)域發(fā)光本公司1000多萬條庫存，所有庫存均可在線報價 極速發(fā)貨，國外交貨最快3-5個工作日，國內(nèi)當天發(fā)貨深圳市原力達電子有限公司電話：0755-28194352/28193653/29806019傳真：0755-28197027聯(lián)系人：龔先生/萬小姐庫存WWW.YUANLID.COM價格WWW.YLD.CC來自 Marktech 的點光源發(fā)射器是結構上類似于標準 LED 的半導體二極管。但是，該器件通過輪廓分明且直徑一般為 25 µm ~ 200 µm 的圓形區(qū)域發(fā)光。產(chǎn)生的光顯示為“光點”，視角很窄，近乎平行。相較于激光二極管，這兩個特性特別適合需要近似平行光源和較低功耗的應用。點光源也能提供 20 nm ~ 50 nm 的特窄光譜帶寬。 Marktech 的點光源 LED原力達 零件編號 制造商零件編號 描述1125-1046原力達 MTPS8085P EMITTER IR POINT SOURCE 規(guī)格書1125-1053原力達 MTPS9067NJ1 EMITTER POINT SOURCE VISIBLE RED 規(guī)格書1125-1052原力達 MTPS9067MT EMITTER POINT SOURCE VISIBLE RED 規(guī)格書1125-1055原力達 MTPS9067WC EMITTER POINT SOURCE VISIBLE RED 規(guī)格書1125-1051原力達 MTPS9067MC EMITTER POINT SOURCE