特征●500MHz單位增益帶寬●低輸入偏置電流：2pA●低偏移和漂移：±0.25mV，±2μV/°C●低失真：在5MHz時為74dB SFDR●高輸出電流：70mA●低輸入電壓噪聲：7nV/√Hz應(yīng)用●寬帶光電二極管放大器●采樣保持緩沖器●CCD輸出緩沖器●ADC輸入緩沖器●寬帶精密放大器●測量和測試描述OPA656結(jié)合了非常寬頻帶、統(tǒng)一增益穩(wěn)定、電壓反饋運算放大器和FET輸入級，為ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）緩沖和瞬態(tài)應(yīng)用提供了超高動態(tài)范圍放大器。極低的直流誤差在光學應(yīng)用中具有很好的精度。高單位增益穩(wěn)定帶寬和JFET輸入允許在高速低噪聲積分器中的卓越性能。高輸入阻抗和低偏置電流由FET輸入由超低7nV/√Hz輸入電壓噪聲支持，以實現(xiàn)寬帶光電二極管瞬態(tài)應(yīng)用中非常低的集成噪聲。鑒于OPA656的高230MHz增益帶寬產(chǎn)品，可以實現(xiàn)寬的瞬態(tài)帶寬。如下圖所示，即使47pF源電容的高1MΩ瞬態(tài)增益，也提供1MHz的a–3dB帶寬。相關(guān)運算放大器產(chǎn)品典型特性：VS=±5VTA=+25°C，G=+2，RF=250Ω，RL=100Ω，除非另有說明。應(yīng)用程序信息寬帶、無眩操作OPA656提供了一個獨特的組合寬帶，統(tǒng)一增益穩(wěn)定，電壓反饋放大器的直流精度的修剪JFET輸入階段。它的230MHz的高增益帶寬積（GBP）可用于為低增益緩沖器提供高信號帶寬，或向光電二極管檢測器應(yīng)用提供寬帶、低噪聲的瞬態(tài)帶寬。為了實現(xiàn)OPA656的全部性能，需要仔細注意印刷電路板（PCB）布局和部件選擇，如本數(shù)據(jù)表的其余部分所述。圖1顯示了+2電路的非侵入增益，該增益用作大多數(shù)典型特性的基礎(chǔ)。

特征•寬電源范圍：±10V至±45V•高轉(zhuǎn)換率：15V/μs •低輸入偏置電流：10pA•STANDARD-PINOUT TO-99、DIP、SO-8 PowerPAD和SO-8表面安裝封裝應(yīng)用•測試設(shè)備•高壓調(diào)節(jié)器•功率放大器•數(shù)據(jù)采集•信號調(diào)節(jié)•音頻•壓電驅(qū)動器說明OPA445是一個單片運算放大器，能夠在高達±45V的電源和15mA的輸出電流下工作。它適用于需要高輸出電壓或大共模電壓波動的各種應(yīng)用。OPA445的高轉(zhuǎn)換率提供了寬的功率帶寬響應(yīng)，這通常是高壓應(yīng)用所需要的。FET輸入電路允許使用高阻抗反饋網(wǎng)絡(luò)，從而最小化其輸出負載效應(yīng)。激光微調(diào)輸入電路產(chǎn)生低的輸入偏移電壓和漂移。OPA445提供標準引腳TO-99、DIP-8和SO-8表面安裝封裝以及用于降低結(jié)溫的SO-8 PowerPAD封裝。它完全規(guī)定在−25°C到+85°C之間，在−55°C到+125°C之間工作。SPICE宏模型可用于設(shè)計分析。典型特征在TA=+25°C和VS=±40V時，除非另有說明。應(yīng)用圖1顯示了OPA445作為基本的非轉(zhuǎn)換放大器連接。OPA445幾乎可以用于任何運算放大器配置。電源端子應(yīng)在電源引腳附近用0.1μF或更大的電容器旁路。確保電容器的額定值與所用電源電壓相匹配。電源OPA445可在高達±45V或總電壓為90V的電源下工作，具有優(yōu)異的性能。在整個工作電壓范圍內(nèi)，大多數(shù)特性保持不變。典型特性中顯示了隨工作電壓顯著變化的參數(shù)。

特征1.5兆赫轉(zhuǎn)動頻率低噪音輸出電壓可調(diào)最高1.5A峰值開關(guān)電流低關(guān)機電流：<1微安循環(huán)電流限制反饋引腳的過電壓保護固定頻率脈沖寬度調(diào)制操作軟啟動能力內(nèi)部補償熱關(guān)機良好的負載調(diào)節(jié)：0.2%低波紋6導3x3mm MLP應(yīng)用便攜式顯示器手機/智能手機LED背光顯示偏差PDA、DVD、攝像機背光尋呼機和無繩電話顯示器便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備遠程控制MP3或PMP或DSC播放器串行閃存LED驅(qū)動器說明FAN5336是一種高效率、低噪聲、固定頻率的脈寬調(diào)制、電流模式、DC-DC升壓調(diào)節(jié)器。它是專為小型LCD偏壓電源和白色LED設(shè)計的背光供應(yīng)應(yīng)用。根據(jù)應(yīng)用情況，F(xiàn)AN5336調(diào)節(jié)器可在高達33V的電壓下輸出50ma輸出電流。當輸出電壓高達21V時，輸出電流可達100mA。FAN5336可以是用于低至9V輸出電壓的功率轉(zhuǎn)換。電流模式控制回路具有快速瞬態(tài)提供良好負載調(diào)節(jié)的響應(yīng)輸出電壓的0.2%。風扇5336開關(guān)處于固定位置1.5MHz頻率，允許使用小型、低成本外部組件。恒頻開關(guān)結(jié)果是低輸入噪聲和小輸出電容。FAN5336提供循環(huán)電流限制，最大可達1.5A峰值電流。風扇5336可用于驅(qū)動串行閃存LED高達100mA的電流在21V的最大值準時400毫秒，占空比10%。低emi模式減少了由電感器振鈴引起的干擾和輻射電磁能量。附加功能包括熱關(guān)機、過壓保護、逐周電流限制、低紋波，以及軟啟動支持。該裝置有3x3mm的6引線MLP，0.8mm厚度包裝。電路說明 :FAN5336是脈沖寬度調(diào)制（PWM）電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。風扇5336改進電池供電設(shè)備的性能顯著降低噪聲的頻譜分布由調(diào)節(jié)器的開關(guān)動作引起的輸入。為

新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管 摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)，分析了解決耐壓與導通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。 關(guān)鍵詞：內(nèi)建橫向電場；耗盡層；導通電阻；短路安全工作區(qū) New Type of High VOLTAGE MOSFET CHEN Yong-zhen Abstract:The contradiction between withstand voltage and on resistance of high voltage MOSFET is analyzed,Its struction with horizontal orientation ELECTRIC field is introduced,the method and priciple of resolving the contradiction between withstand voltage and on resistance are construed and the main characterics of this new type of high power MOSFET with representativeness are presented. Keywords:Horizontal orientation electric field; Exhausted layer; On resistance; SCSOA 1 引言 在功率半導體器件中，MO

場效應(yīng)晶體管電壓表電路圖

場效應(yīng)晶體管的運放器電路圖

場效應(yīng)晶體管在音響數(shù)字化的今天應(yīng)用范圍越來越廣。其原理、優(yōu)點和使用常識在一些工具書及報刊上已有不少論述，在此不再贅述。本文通過兩個容易被發(fā)燒友特別是初學者所忽略的要點來說明場效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前，應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)，而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的UHC、IGBT等，并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。1．JFET缺少配對容差內(nèi)的互補管當今雙極晶體管制造工藝的成熟已使NPN與PNP互補三極管的配對誤差縮小到被廣大專業(yè)廠商和音響發(fā)燒友所能普遍接受的程度。相比之下，場效應(yīng)管的選配就困難得多，而作為放大器輸入級用管的JFET更是缺少符合要求的互補對(這是目前的制造水平所決定的)。附表列出了東芝公司的孿生場效應(yīng)管(DualFET)K389／Jl09的主要特性數(shù)據(jù)比較。由附表可知，K389與J109的差異有VCC和NF，其中C和C兩項數(shù)值，N溝與P溝的差值要達5倍之巨。筆者有一次購買過8對K389／J109，但是在裝機前測試的結(jié)果卻頗令人失望：①所謂孿生管只是同一管殼內(nèi)的兩只管子性能一致，而同時購買的8對管中N溝之間的差別頗大，N溝與P溝的差別更大；②K389與J109的Idss、gm及Vgs各不相同，實際的波形測試也不對稱。最后，筆者只能從K389中選出兩只誤差為3．8％的管子作為單邊差動輸入級之用(以往選用雙極孿生管時總是不難把同極性管的誤差控制在1％，異極性管的配對誤差也不會大于3％)。通過以上的數(shù)據(jù)比較和實際測試可以得到如下啟示：JFET用于互補輸入級時，其V和I一的離散性會使電路的靜態(tài)工作點產(chǎn)生較大的偏移，從

場效應(yīng)晶體管為單極型（只有一種載流子參與導電）三極管，簡稱場效應(yīng)管，屬于電壓控制型半導體器件。 特點：場效應(yīng)管具有輸入阻抗很高、功耗小、安全工作區(qū)域?qū)捄鸵子诩傻忍攸c，因此廣泛用于數(shù)字電路、通信設(shè)備和儀器儀表等方面。 分類：常用的有結(jié)型和絕緣柵型（即MOS管）兩種，每一種又分為N溝道和P溝道。場效應(yīng)管的三個電極為源極(S)、柵極(G)與漏極(D)。 場效應(yīng)晶體管的電路符號。其中，N溝道結(jié)型場效應(yīng)管，P溝道結(jié)型場效應(yīng)管，P溝道增強型絕緣柵管，N溝道增強型絕緣柵管，P溝道SN74LVC257ADRG4耗盡型絕緣柵管，N溝道耗盡型絕緣柵管。 1．場效應(yīng)晶體管的技術(shù)參數(shù)場效應(yīng)晶體管的技術(shù)參數(shù)主要有夾斷電壓UP(結(jié)型)、開啟電壓UT(MOS管)、飽和漏極電流II:6S、直流輸入電阻、跨導、噪聲系數(shù)和最高工作頻率等。 2．使用注意事項(1)MOS器件保存時應(yīng)將三個屯極短路放在屏蔽的金屬盒中，或用錫紙包裝。 (2)取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤盛放待用的器件。 (3)焊接用的電烙鐵必須接地良好或斷開電源用余熱焊接。 (4)在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，待MOS器件焊接完成后再分開。 (5)MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極和柵極。拆下時順序相反。 (6)不能用萬用表測MOS管的各極，檢測MOS管要用測試儀。 (7)MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在允許的條件下，最好接入保護二極管。 (8)使用MOS管時應(yīng)特別注意保護柵極（任何時候不得懸空）。

王華于軍周文利王耘波謝基凡周東祥朱麗麗 摘要：介紹了鐵電場效應(yīng)晶體管（ffet）的基本結(jié)構(gòu)、存儲機制、制作方法，綜述其結(jié)構(gòu)設(shè)計的改進、鐵電薄膜在ffet中應(yīng)用的進展情況，探討圍繞鐵電薄膜材料、過渡層、結(jié)構(gòu)設(shè)計、不同成膜方法及工藝對ffet存儲特性的影響，對ffet的研究現(xiàn)狀和存在的一些問題進行評述。關(guān)鍵詞：鐵電薄膜；鐵電場效應(yīng)晶體管；存儲特性中圖分類號：tn304.9文獻標識碼：a文章編號：1001-2028(2000)02-0019-03 鐵電薄膜材料具有良好的鐵電性、壓電性、熱釋電性、電光及非線性光學特性，在微電子學、光電子學、集成光學和微電子機械系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景，成為國際上新型功能材料研究的熱點之一。特別是隨著鐵電薄膜制備技術(shù)的一系列突破，成功地制備出性能優(yōu)良的鐵電薄膜，工作電壓可在3～5 v，可與si或gaas電路集成，鐵電薄膜制備工藝與ic工藝兼容成為可能，極大地促進了鐵電薄膜的制備與器件應(yīng)用研究的發(fā)展〔1，2〕。在這些器件中，鐵電場效應(yīng)晶體管（ffet）不僅具有快速開關(guān)、高密度、永久性、抗輻射的特點，而且實現(xiàn)非破壞性讀出，引起了鐵電學家們的極大關(guān)注，并進行了廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)研究〔3～9〕。本文綜合近年來國內(nèi)外有關(guān)鐵電場效應(yīng)晶體管的研究報道，介紹ffet結(jié)構(gòu)、存儲原理及鐵電材料在ffet中的應(yīng)用進展。 1ffet基本結(jié)構(gòu)及存儲機制 ffet單元基本結(jié)構(gòu)為mfs-fet結(jié)構(gòu)，即用鐵電薄膜取代mos-fet中的柵介質(zhì)層，利用鐵電薄膜的極化狀態(tài)調(diào)制半導體表面狀態(tài)，從而調(diào)制晶體管源、漏極間的導通狀態(tài)，區(qū)別邏輯態(tài)“0”和“1”，以達到存儲信息的目的。如圖1所示。 圖1

場效應(yīng)晶體管好壞的判斷及使用時注意事項 MOS場效應(yīng)晶體管使用注意事項 MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則： 1.MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。 2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。 3.焊接用的電烙鐵必須良好接地。 4.在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。 5.MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。 6.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。 7.MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護二極管是否損壞。 場效應(yīng)晶體管的好壞的判斷 先用MF10型萬用表R100KΩ擋（內(nèi)置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再該用萬用表R1Ω擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應(yīng)管是好的 常用場效應(yīng)晶體管放大器的識別 1、場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。 2、場效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。 3、場效應(yīng)管與晶體管的比較 （1）場效應(yīng)管是電壓

在國家自然科學基金委、科技部、中國科學院的大力支持下，化學所有機固體院重點實驗室研究人員與中科院微電子所科技人員合作，在高性能、低成本有機場效應(yīng)晶體管的研究方面取得新進展，有關(guān)研究成果申請了中國發(fā)明專利并發(fā)表在J.Am.Chem.Soc.(2006,Vol.128,No.51,p.16418－16419)上。 研究人員從低成本的銅和銀的下電極結(jié)構(gòu)出發(fā)，結(jié)合對二氧化硅襯底的表面修飾，通過簡單的一步溶液法在電極上生成有機電荷轉(zhuǎn)移復合物，從而提高了銅和銀電極的表面功函數(shù)，改進了電極和有機半導體之間的接觸，降低了接觸電阻，改善了載流子的注入，從而實現(xiàn)了和金上電極結(jié)構(gòu)器件相當?shù)母咝阅堋Ｔ摲椒ň哂衅者m性，可以適用于多種有機半導體材料。這一研究進展可以大大降低有機場效應(yīng)晶體管的制備成本，為有機場效應(yīng)晶體管的實用化奠定了良好的基礎(chǔ)。 有機場效應(yīng)晶體管按電極結(jié)構(gòu)分為上電極結(jié)構(gòu)和下電極結(jié)構(gòu)器件。 在上電極結(jié)構(gòu)器件中，源漏電極與有機半導體材料之間具有良好的接觸，從而使其具有較高的性能。下電極結(jié)構(gòu)可以采用光刻技術(shù)，易實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)，降低產(chǎn)品的成本。然而下電極結(jié)構(gòu)器件由于較大的電極-半導體接觸電阻而使場效應(yīng)性能較差。另外，目前廣泛使用的源漏電極材料為高成本的金電極，從實際應(yīng)用角度考慮最好使用低成本的金屬電極，如銅和銀等，但由于它們具有低的功函數(shù)，采用銅或銀為源漏電極制備的場效應(yīng)器件的性能不理想。因此，制備低成本、高性能的下電極結(jié)構(gòu)的器件是有機場效應(yīng)晶體管研究的一個重要目標。 近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注并取得了長足的發(fā)展。目

美國國家半導體公司 (NS) 推出一款可支持高效率系統(tǒng)的遲滯 P 場效應(yīng)晶體管 (P-FET) 降壓控制器。這款型號為 LM3475 的控制器芯片采用極小巧的 SOT23-5 封裝，其特點是設(shè)有可以簡精系統(tǒng)設(shè)計的遲滯控制電路。系統(tǒng)設(shè)計工程師只要采用這款芯片便無需為系統(tǒng)提供外部補償，確保多種不同的元件都可穩(wěn)定操作，而系統(tǒng)則可以作出極快的瞬態(tài)響應(yīng)。遲滯控制電路甚至在極小負載下也可支持高效率操作。P 場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是可以降低所需元件的數(shù)目，將占空度提高至 100%，以及操作時只產(chǎn)生極低壓降。這款控制器芯片適用于多種不同的典型應(yīng)用，其中包括 TFT 監(jiān)視器、汽車個人電腦系統(tǒng)、汽車保安導航系統(tǒng)、筆記本電腦后備電源供應(yīng)器、以電池供電的便攜式電子產(chǎn)品以及配電系統(tǒng)。主要的特色及優(yōu)點容易使用的控制方法可調(diào)節(jié)的輸出電壓介于 0.8 伏 (V) 與輸入電壓 (VIN) 之間效率高 (典型效率高達 90%)±0.9% 的反饋電壓基準精度 (在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)反饋電壓達±1.5%)占空度可高達 100%最高操作頻率高達 2MHz內(nèi)部軟 啟動功能使能功效美國國家半導體的電源管理產(chǎn)品根據(jù) iSuppli 在 2004 年進行的穩(wěn)壓器/電壓參考電路市場調(diào)查顯示，美國國家半導體是全球第一大的電源管理集成電路供應(yīng)商，市場占有率高達 12.8%。在 2003 年的財政年度，美國國家半導體的電源管理產(chǎn)品營業(yè)額比上一年上升 29.7%，遠比業(yè)界的平均升幅 17.3% 高。美國國家半導體擁有各式各樣的創(chuàng)新電源管理產(chǎn)品，其中包括領(lǐng)先同業(yè)的線性穩(wěn)壓器、電源監(jiān)控、控制及電壓參考等集

前言：在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機的霎那間 , 此瞬間電壓會達到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運的是一般場效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計者并不需要增加額外的保護線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進而幫助設(shè)計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。1. 評估方式 : 單一脈沖 UIS(Unclamped Inductive Switching) 的安全工作范圍 一般評估場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)皆以單一脈沖 UIS 為基準。如圖一所示。此方式簡單的定義了幾個針對被測試組件的基本參數(shù)。例如在崩潰時間內(nèi)所流經(jīng)場效應(yīng)晶體管的最大峰值電流 (IAS), 在 UIS 開始前的起始接合面溫度 (Tj), 以及崩潰時所經(jīng)過的時間 tAV 。 將 IAS 及 tAV 所對應(yīng)出來的圖表曲線可提供使用者了解此組件針對 UIS 的表現(xiàn)能力 , 而提供一個客觀且公正的衡量依據(jù)。2. 2.過電壓產(chǎn)生的條件在應(yīng)用上,過電壓產(chǎn)生的條件可分成下列兩種。一種是超過場效應(yīng)晶體管的最大額定電壓,但是并沒有造

低成本有機場效應(yīng)晶體管研究取得新進展 http://www.ic36.com 2008年8月15日9:37 星星電子網(wǎng) 近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注，并取得了長足的發(fā)展。 清華微電子推出高頻管分立器件裸片，已做到9G截止頻率 此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應(yīng)的源漏電極并得到了高性能器件，之后通過納米結(jié)構(gòu)電極的構(gòu)筑，研究了電極形貌與器件性能的關(guān)系。近期，該實驗室在低成本高性能有機場效應(yīng)晶體管的研究方面又取得新進展，他們利用低功函數(shù)的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管。 對于有機光電器件，電極的功函和有機半導體的能級決定了載流子的注入，并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數(shù)p型有機半導體形成良好的接觸，從而被廣泛用作p型有機場效應(yīng)晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設(shè)計和器件表征發(fā)現(xiàn)，銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物，這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外，良好的電極/半導體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應(yīng)晶體管的實用化奠定了良好的基礎(chǔ)。

本文所應(yīng)用到的相關(guān)器件資料：NCY87 BCY71

pH傳感器是一種常用的化學傳感器，可以測量溶液的酸堿度。傳統(tǒng)的pH傳感器通常采用玻璃電極或參比電極等離子敏感元件，但它們具有體積大、制造成本高和功耗較高的缺點。為了實現(xiàn)更小尺寸、低功耗和集成度高的pH傳感器，離子敏感場效應(yīng)晶體管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor，簡稱ISFET）被廣泛應(yīng)用于pH傳感器的設(shè)計。本文將介紹一種集成低功耗pH傳感器的ISFET的設(shè)計。一、背景介紹ISFET是一種基于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）的晶體管，通過改變固體電解質(zhì)與液體之間的界面電荷來感應(yīng)溶液的離子濃度變化。ISFET具有體積小、制造成本低和功耗較低的優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于化學傳感器中。二、設(shè)計原理1. ISFET的結(jié)構(gòu)ISFET的結(jié)構(gòu)類似于標準的MOSFET，由柵極、CDCUA877ZQLR源極和漏極組成。與MOSFET不同的是，ISFET的柵極表面覆蓋有離子敏感層，該層與液體接觸并感應(yīng)離子濃度變化。2. 離子敏感層離子敏感層是ISFET的核心部分，負責感應(yīng)溶液中的離子濃度變化。常用的離子敏感材料有硅酸鹽、氧化鋁和氧化鈦等。離子敏感層的選擇取決于所測量的離子類型。3. 工作原理當溶液中的離子濃度發(fā)生變化時，離子敏感層表面的界面電荷也會發(fā)生變化。這種界面電荷的變化會影響ISFET的柵極電勢，從而改變了ISFET的導通特性。通過測量ISFET的電流或電壓變化，可以確定溶液中的離子濃度變化。三、集成設(shè)計1. ISFET的制造通過CMOS工藝制造ISFET。在制造過程中，需

場效應(yīng)晶體管（FET）和繼電器是兩種常用的開關(guān)設(shè)備，它們在許多電子設(shè)備中都有應(yīng)用。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，場效應(yīng)晶體管正逐漸取代繼電器的位置。這主要是因為FET具有更高的速度、更小的尺寸、更低的功耗和更高的可靠性。FET和繼電器在輸出特性上有顯著差異。主要區(qū)別如下：1、速度：FET響應(yīng)速度比繼電器快，開關(guān)速度快，適合對信號要求高、精確度要求高的場合。繼電器的機械觸點動作速度受慣性影響，相對較慢。2、功耗：FET通常功耗更低，因為繼電器需要電磁線圈來控制開關(guān)，而FET只需少量門極電流。在長期運行中，F(xiàn)ET可以節(jié)約能源成本。3、可靠性：FET沒有機械部件，耐用性更高，壽命更長。繼電器容易受到震動和沖擊的影響，在工業(yè)環(huán)境中容易損壞。4、壽命：由于場效應(yīng)晶體管沒有機械運動部件，因此壽命比繼電器長。5、體積：FET體積小巧，適合緊湊的電路應(yīng)用，而繼電器較大，占據(jù)空間?，F(xiàn)在，我們來看一下如何使用FET來代替繼電器。首先，你需要選擇正確的FET。你需要考慮的參數(shù)包括最大漏源電壓（VDS）、最大門電壓（VGS）、閾值電壓（Vth）、最大連續(xù)漏電流（ID）、總功耗（PD）和開關(guān)速度。你需要選擇一個能夠滿足你的電源電壓、負載電流和開關(guān)頻率要求的FET。其次，你需要設(shè)計一個適當?shù)尿?qū)動電路。這通常包括一個BA3123F-E2電阻分壓器來限制門電壓，一個電容來過濾噪聲，以及一個二極管來保護FET免受反向電壓的損壞。最后，你需要正確地連接你的FET。源極應(yīng)該連接到地，漏極應(yīng)該連接到負載，門極應(yīng)該連接到驅(qū)動電路。至于輸出方面的差異，繼電器輸出是機械性質(zhì)的，即通過物理接觸來進行電流的通斷，而場效應(yīng)晶體管的輸出則

場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種常用的半導體器件，具有高輸入電阻、低輸出電阻、低功耗、高頻特性好等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)和邏輯電路中。選擇JS28F640J3F75A場效應(yīng)晶體管時，可以遵循以下六個訣竅：1、了解不同類型的場效應(yīng)晶體管：場效應(yīng)晶體管分為N溝道型（N-Channel）和P溝道型（P-Channel）兩種類型。N溝道型的導電溝道為N型材料，P溝道型的導電溝道為P型材料。選擇適合的類型取決于應(yīng)用需求和電路設(shè)計。2、理解參數(shù)規(guī)格：選擇場效應(yīng)晶體管時，需要理解一些重要的參數(shù)規(guī)格，例如最大漏極-源極電壓（VDS）、最大漏極電流（ID）、最大功率（PD）、漏極-源極電阻（RDS(on)）等。這些參數(shù)將決定晶體管的工作性能和適用范圍。3、考慮頻率特性：不同類型的場效應(yīng)晶體管具有不同的頻率響應(yīng)特性。在高頻應(yīng)用中，需要選擇具有較高截止頻率（fT）和較低輸入電容（Ciss）的晶體管，以確保信號傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。4、考慮功耗特性：場效應(yīng)晶體管具有較低的功耗特性，但不同型號的晶體管在不同工作條件下的功耗也會有所不同。選擇晶體管時要根據(jù)具體應(yīng)用需求，平衡功耗和性能之間的關(guān)系。5、考慮可靠性和壽命：晶體管的可靠性和壽命是選擇的重要因素之一。了解晶體管的工作溫度范圍、靜態(tài)電流、擊穿電壓等參數(shù)，并選擇適合的晶體管來保證電路的長期可靠性。6、參考數(shù)據(jù)手冊和數(shù)據(jù)表：在選擇場效應(yīng)晶體管時，要仔細閱讀其相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊和數(shù)據(jù)表。這些資料提供了詳細的規(guī)格、特性和應(yīng)用信息，可以幫助選擇合適的晶體管?？傊x擇場效應(yīng)晶體管需要考慮多個因素，包括類型、參數(shù)規(guī)格、

高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）是一種新型的高性能半導體器件，具有高功率、高效率和高可靠性等優(yōu)勢。它在射頻和功率應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將介紹高功率氮化鎵場效應(yīng)TPD1E05U06DPYR晶體管的工作原理、特點以及應(yīng)用領(lǐng)域。一、工作原理高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管是一種電子器件，它通過調(diào)控電荷的輸運來控制電流的流動。它由氮化鎵材料制成，具有較高的電子流遷移率和較高的擊穿電壓。當施加正向偏壓時，電子從源極注入溝道中。通過調(diào)節(jié)柵極電壓，可以控制電子在溝道中的流動。當柵極電壓高于溝道中的電子能級時，電子受到柵極電場的吸引，從而形成電子通道，電流可以流經(jīng)溝道。當柵極電壓低于溝道中的電子能級時，電子被柵極電場阻擋，電流無法流經(jīng)溝道。二、特點1、高功率：氮化鎵材料具有較高的電子流遷移率和擊穿電壓，使得GaN FET能夠承受較高的功率。相比傳統(tǒng)的硅基功率器件，GaN FET的功率密度更高。2、高效率：GaN FET具有低導通電阻和低開關(guān)損耗的特點，使得其具有較高的轉(zhuǎn)換效率。這使得GaN FET在功率放大和射頻應(yīng)用中能夠更有效地利用電能。3、高可靠性：由于氮化鎵材料的特性，GaN FET具有較高的工作溫度和較低的漏電流。這使得它具有較好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。三、應(yīng)用領(lǐng)域1、通信系統(tǒng)：GaN FET在射頻功率放大器中具有廣泛的應(yīng)用。由于其高功率和高效率的特點，它能夠提供更強的信號放大和更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。2、雷達系統(tǒng)：GaN FET在雷達系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣泛。高功率和高可靠性使得它成為雷達系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提供更準確的目標探測和跟蹤。3、電力系統(tǒng)：

美國科學家使用自主設(shè)計的、精確的原子逐層排列技術(shù)，構(gòu)造出了一個超薄的超導場效應(yīng)晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環(huán)境細節(jié)。發(fā)表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學家能更好地理解高溫超導性，加速無電阻電子設(shè)備的研發(fā)進程。 普通絕緣材料銅酸鹽在何種情況下從絕緣態(tài)躍遷到超導態(tài)？這種躍遷發(fā)生時，會發(fā)生什么？這些問題一直困擾著物理學家。探究這種躍遷的一種方法是，施加外電場來增加或減少該材料中的自由電子濃度，并觀察其對材料負載電流能力的影響。但要想在銅酸鹽超導體中做到這一點，還需要構(gòu)建成分始終如一的超薄薄膜以及高達100億伏/米的電場。 美國能源部物理學家伊萬·博若維奇領(lǐng)導的布魯克海文薄膜研究小組之前曾使用分子束外延技術(shù)制造出這種超導薄膜，該技術(shù)在一次制造一個原子層時還能精確控制每層的厚度。他們最近證明，用分子束外延方法制造出的薄膜內(nèi)，單層酮酸鹽能展示出未衰減的高溫超導性，他們用該方法制造出了超薄的超導場效應(yīng)晶體管。 作為所有現(xiàn)代電子設(shè)備基礎(chǔ)的標準場效應(yīng)晶體管內(nèi)部，一個半導體材料將電流從設(shè)備一端的“源”電極運送至另一端的“耗”電極;一個薄的絕緣體則作為第三電極“門”電極負責控制場效應(yīng)晶體管。當在絕緣體上施加特定的門電壓時，該門電極會打開或關(guān)閉。但沒有已知的絕緣體能對抗誘導該酮酸鹽內(nèi)部高溫超導性所需的高電場，因此，標準場效應(yīng)晶體管的設(shè)計并不適用于高溫超導場效應(yīng)晶體管。 博若維奇團隊用一種能導電的液體電解質(zhì)來分離電荷。當朝電解液施加外電壓時，電解質(zhì)中的正電荷離子朝負電極移動，負電荷離子朝正電極移動，但當?shù)竭_電極時，離子會突然停止移動，就像撞到“南墻”一樣。電極“墻”負載的等量相反電

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC )宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列的最新成員EPC2014。EPC2014 采用符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關(guān)性能，具有環(huán)保特性。EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V元件， 當閘極電壓為5V 時，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014元件相比，新一代EPC2014元件具有明顯更高的性能優(yōu)勢，其最大結(jié)溫額定值提高至150℃，而其性能在更低閘極電壓時也得到全面增強。與具有相同導通電阻的先進硅功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開關(guān)性能卻高出許多倍。全新 eGaN FET 的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負載點轉(zhuǎn)換器、D類音訊放大器、硬開關(guān)和高頻電路等。

日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代eGaN場效應(yīng)晶體管(FET)系列產(chǎn)品中的最新成員EPC2010，這款產(chǎn)品具更卓越性能，不僅環(huán)保、不含鉛，而且符合RoHS(有害物質(zhì)限制)指令。 EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值為25mΩ，柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優(yōu)勢。EPC2010將脈沖電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A)，并且改進了很低柵極電壓時的 RDS(ON)值，電容值也更低。與具有相同導通電阻值的先進硅功率MOSFET相比，EPC2010體積更小，開關(guān)性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應(yīng)用很多，其中包括高速DC/DC電源、負載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬件開關(guān)和高頻電路。宜普公司合夥創(chuàng)始人及首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“宜普是第一家實現(xiàn)氮化鎵功率場效應(yīng)晶體管商用化的公司。隨著第二代產(chǎn)品的推出，宜普進一步提升了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能標桿。另外，宜普的新一代eGaN產(chǎn)品也是首個無鉛化且符合RoHS的氮化鎵場效應(yīng)晶體管?！?/p>

在中國國際電源展覽會上，Infineon日前推出兼具超結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)高壓器件優(yōu)勢的下一代CoolMOS MOSFET 600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實耐用的增強型體二極管。 C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。英飛凌在CoolMOS C3和CoolMOS CP等前代系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，進一步提高了開關(guān)速度并降低了導通電阻。CoolMOS C3是一個應(yīng)用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿足需要最高開關(guān)速度和最低導通電阻的各種專門應(yīng)用的需求。 最新推出的600V CoolMOS C6器件，融合了CoolMOS C3和CoolMOS CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損 耗和極低單位面積導通電阻等，設(shè)計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設(shè)計而言，CoolMOS C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二

日前，在中國國際電源|穩(wěn)壓器展覽會上，英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實耐用的增強型體二極管。 C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。英飛凌在CoolMOS C3和CoolMOS CP等前代系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，進一步提高了開關(guān)速度并降低了導通電阻。CoolMOS C3是一個應(yīng)用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿足需要最高開關(guān)速度和最低導通電阻的各種專門應(yīng)用的需求。 最新推出的600V CoolMOS C6器件，融合了CoolMOS C3和CoolMOS CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損 耗和極低單位面積導通電阻等，設(shè)計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設(shè)計而言，CoolMOS C6簡化了pcb系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二

ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國際學術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國內(nèi)的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。 微電子所張海英研究員領(lǐng)導的課題組，使用中國科技大學提供的材料，獨立開發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測試結(jié)果，標志著國內(nèi)首個背柵ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管的研制成功，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。 場效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長方制備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關(guān)鍵技術(shù)問題。1.部分資源來自網(wǎng)絡(luò),經(jīng)ET電子歸類整理,旨在服務(wù)電子愛好者并無商業(yè)目的,不保證正確性與完整性.

近日，中科院微電子所依靠獨立開發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國內(nèi)首個ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管。 ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國際學術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國內(nèi)的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。 微電子所張海英研究員領(lǐng)導的課題組，使用中國科技大學提供的材料，獨立開發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測試結(jié)果，標志著國內(nèi)首個背柵ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管的研制成功，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。 場效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長方制備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關(guān)鍵技術(shù)問題。

近日，中科院微電子所依靠獨立開發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國內(nèi)首個ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管。ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國際學術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國內(nèi)的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。微電子所張海英研究員領(lǐng)導的課題組，使用中國科技大學提供的材料，獨立開發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測試結(jié)果，標志著國內(nèi)首個背柵ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管的研制成功，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。場效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長方制備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關(guān)鍵技術(shù)問題。

近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注，并取得了長足的發(fā)展。 此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應(yīng)的源漏電極并得到了高性能器件，之后通過納米結(jié)構(gòu)電極的構(gòu)筑，研究了電極形貌與器件性能的關(guān)系。近期，該實驗室在低成本高性能有機場效應(yīng)晶體管的研究方面又取得新進展，他們利用低功函數(shù)的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管。 對于有機光電器件，電極的功函和有機半導體的能級決定了載流子的注入，并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數(shù)p型有機半導體形成良好的接觸，從而被廣泛用作p型有機場效應(yīng)晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設(shè)計和器件表征發(fā)現(xiàn)，銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物，這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外，良好的電極/半導體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應(yīng)晶體管的實用化奠定了良好的基礎(chǔ)。

近年來，有機場效應(yīng)晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應(yīng)用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注，并取得了長足的發(fā)展。 此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應(yīng)的源漏電極并得到了高性能器件，之后通過納米結(jié)構(gòu)電極的構(gòu)筑，研究了電極形貌與器件性能的關(guān)系。近期，該實驗室在低成本高性能有機場效應(yīng)晶體管的研究方面又取得新進展，他們利用低功函數(shù)的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管。 對于有機光電器件，電極的功函和有機半導體的能級決定了載流子的注入，并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數(shù)p型有機半導體形成良好的接觸，從而被廣泛用作p型有機場效應(yīng)晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設(shè)計和器件表征發(fā)現(xiàn)，銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物，這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外，良好的電極/半導體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應(yīng)晶體管的實用化奠定了良好的基礎(chǔ)。

Avago推出業(yè)內(nèi)封裝尺寸最小的場效應(yīng)晶體管(FET, Field Effect Transistor)產(chǎn)品，尺寸大小僅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，這些超小型低厚度分立式低噪器件占用空間只有標準SOT-343封裝的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通過采用Avago創(chuàng)新的芯片級封裝技術(shù)，帶來具備高頻工作能力和卓越散熱效果的小型化晶體管產(chǎn)品。這些革命性器件不需要負電壓就能工作，為射頻應(yīng)用設(shè)計工程師帶來成本更低并且使用更容易的好處。VMMK-1225支持0.5到26.5 GHz頻率范圍，噪聲指數(shù)低于0.95 dB，在12 GHz頻率50 Ω條件下增益為12dB，同時提供有23 dBm的輸出三階截點和8 dBm的輸出功率。VMMK-1218工作頻率范圍在0.5到18 GHz，噪聲指數(shù)低于0.85 dB，在10 GHz頻率 50 Ω條件下增益為9 dB，同時提供有22 dBm輸出三階截點和12 dBm的輸出功率。這些晶體管具備的尺寸和性能特點使它們非常適合各種無線通信應(yīng)用，包括商用對講機、UWB、雷達、基站、軍用通信、射頻傳感器、WiMAX、衛(wèi)星通信和其他任何需要小尺寸器件的直流到26 GHz頻帶應(yīng)用。

深圳市聯(lián)大實業(yè)有限公司是一家專業(yè)為新型能源產(chǎn)品提供核心電子零件的代理商， 既提供包括各類 IGBTs、MOSFET、快速二極管、整流橋、可控硅、碳化硅二極管和場效應(yīng) 管和控制IC等關(guān)鍵的半導體器件，也提供薄膜電容器、鋁電解電容器、電流傳感器和濾波 器等產(chǎn)品，能為功率變換的各個環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵的元器件?！　?nbsp;我們擁有專業(yè)的銷售工程師團隊，能為客戶提供正確、高效和經(jīng)濟的元器件方案， 讓客戶的設(shè)計處于業(yè)界前沿。在通訊電源、UPS、電力電源、變頻器、電焊機、風能、太陽能、 SVG ……等領(lǐng)域，我們都有成熟和領(lǐng)先的元器件方案，能有效減少工程師挑選原器件的時間， 縮短產(chǎn)品開發(fā)的周期。  產(chǎn)品眾多、現(xiàn)貨充足是我們的優(yōu)勢之一，無論是跨國企業(yè)還是國內(nèi)廠家，都能得到我們迅速、可靠和專業(yè)的服務(wù)。【承諾】：本公司商品是100%原廠正品，環(huán)保產(chǎn)品!量多更加優(yōu)惠?。?！廖小姐:13670166496微信同號：13670166496  QQ:1046342124地址：深圳市福田區(qū)中航路國利大廈A座2706室WMK03N80M3WML03N80M3WMM03N80M3WMN03N80M3WMO03N80M3WMP03N80M3WMK05N80M3WML05N80M3WMM05N80M3WMN05N80M3WMO05N80M3WMP05N80M3WMK06N80M3WML06N80M3WMM06N80M3WMN06N80M3WMO06N80M3WMP06N80M3WMK07N80M3WML07N80M3WMM

      WAYON VDMOS系列可顯著降低導通電阻和超低柵極電荷，適合要求高功率密度和高效率的應(yīng)用。      其產(chǎn)品規(guī)格涵蓋500伏至1500伏。它廣泛和穩(wěn)定地用于SMPS，充電器，DC-DC等產(chǎn)品。它非常穩(wěn)定，      符合RoHS標準。  上海長園維安/深圳市聯(lián)大電子有限公司(總代理）廖雪花：電話13670166496  QQ1046342124微信：13670166496（廣東辦事處）地址：深圳市龍華區(qū)民治布龍路荔苑大廈B座1005室

本文將從產(chǎn)品詳情、基本結(jié)構(gòu)、技術(shù)優(yōu)點、工作原理、參數(shù)規(guī)格、市場應(yīng)用和解決方案等多個方面對fqa24n60進行詳細解析，幫助讀者全面了解該產(chǎn)品。一、產(chǎn)品詳情是一種n溝道m(xù)osfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）晶體管。采用封裝形式為to-3p，具有高電壓和高電流承受能力，能夠在高功率應(yīng)用中起到關(guān)鍵作用。二、基本結(jié)構(gòu)fqa24n60的基本結(jié)構(gòu)包括源極（source）、漏極（drain）和柵極（gate）三個主要部分。源極和漏極之間的電流通過柵極控制，從而實現(xiàn)對晶體管的開關(guān)控制。三、技術(shù)優(yōu)點1、高電壓承受能力：fqa24n60能夠承受高達600v的工作電壓，適用于高壓電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。2、低導通電阻：該晶體管具有低導通電阻，可以減小功率損耗，提高效率。3、高開關(guān)速度：fqa24n60具有快速的開關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用。4、穩(wěn)定可靠：該產(chǎn)品采用優(yōu)質(zhì)材料和先進工藝制造，具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。四、工作原理fqa24n60是一種增強型溝道型mosfet。當柵極電壓高于閾值電壓時，柵極與溝道之間形成電場，使溝道中的載流子濃度增加，導致導通。當柵極電壓低于閾值電壓時，電場被抑制，溝道中的載流子濃度減少，導致截止。五、參數(shù)規(guī)格1、額定工作電壓（vds）：600v2、額定電流（id）：24a3、導通電阻（rds(on)）：0.21ω4、柵極-源極電壓（vgs）：±30v5、工作溫度范圍：-55℃至150℃六、市場應(yīng)用廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如電源管理、電動汽車、太陽能逆變器等。由于其高電壓承受能力和低導通電阻等優(yōu)點，能夠滿足

4N150L UTC/友順 功率場效應(yīng)晶體管MOS  奧偉斯科技提供專業(yè)的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯片配套:低功耗觸摸芯片 低功耗單片機 馬達驅(qū)動芯片 顯示驅(qū)動芯片 刷卡芯片 時針芯片 存儲芯片 語音芯片 低壓MOS管 TVS二極管 OWEIS奧偉斯觸摸芯片：JM01S JM02S JM04S JM08S JM12MCOWEIS奧偉斯電源芯片: JM2575S/TO263-5 JM2575T/TO220-5 JM2576S/TO263-5 JM2576T/TO220-5 JM2596S/TO263-5 JM2596T/TO220-5OWEIS奧偉斯接口芯片:JM485S JM3485S JM232S JM3232S JM1040S ADS觸摸芯片：TS01S AWS01 TS02NT TS04 TS06 TS08NT TS08NC TS08NE TS08P TS12 TSM12S TSM12MC TSM16C TS20博晶微/晶尊微觸摸芯片:SC01A SC02A SC04A SC05A SC09A SC12A通泰觸控芯片: TTP223-BA6 TTP223-CA6 TTP233D-BA6 TTP233D-HA6 TTP233D-RB6 TTP233D-SB6低功耗觸摸按鍵芯片: TTY6952B BS83B12A-3 BS83B16A-3 低功耗單片機:STM8L052C6T6 STM8L052R8T6 STM8L152C6T6 STM8L152R8T6 STM32L151C8T6 STM32L152RBT6 STM32L051C8T6 指紋識別

4N90CL UTC/友順 功率場效應(yīng)晶體管MOS描述UTC 4 n90c功率MOSFET結(jié)構(gòu),旨在更好的特性,如快速開關(guān)時間,低柵電荷,低開態(tài)電阻和高的雪崩特性。這通常使用功率MOSFET atDC-DC、交直流轉(zhuǎn)換器對權(quán)力的應(yīng)用程序特點* RDS(ON) < 4.5  @ VGS=10V, ID=2.0A * High Switching Speed * 100% Avalanche Tested  奧偉斯科技提供專業(yè)的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯片配套:低功耗觸摸芯片 低功耗單片機 馬達驅(qū)動芯片 顯示驅(qū)動芯片 刷卡芯片 時針芯片 存儲芯片 語音芯片 低壓MOS管 TVS二極管 OWEIS奧偉斯觸摸芯片：JM01S JM02S JM04S JM08S JM12MCOWEIS奧偉斯電源芯片: JM2575S/TO263-5 JM2575T/TO220-5 JM2576S/TO263-5 JM2576T/TO220-5 JM2596S/TO263-5 JM2596T/TO220-5OWEIS奧偉斯接口芯片:JM485S JM3485S JM232S JM3232S JM1040S ADS觸摸芯片：TS01S AWS01 TS02NT TS04 TS06 TS08NT TS08NC TS08NE TS08P TS12 TSM12S TSM12MC TSM16C TS20博晶微/晶尊微觸摸芯片:SC01A SC02A SC04A SC05A SC09A SC12A通泰觸控芯片: TTP223-BA6 TTP223-CA6 TTP

UF640L UTC/友順 功率場效應(yīng)晶體管MOS描述這些類型的n溝道功率MOSFET場效應(yīng)晶體管傳導功率損耗較低,高輸入阻抗、高開關(guān)速度、線性傳輸特性,所以可以使用各種能量變換的應(yīng)用程序。UF640適合共振和PWM變換器拓撲特點 FEATURES * RDS(ON) < 0.18 ? @ VGS=10V, ID=10A * Ultra Low 門 反向 傳輸 電容 電荷 (typical 43 nC) * Low (CRSS = 典型 100 pF) * Fast 切換 功能     深圳市奧偉斯科技有限公司是一家專注觸摸芯片,單片機,電源管理芯片,語音芯片,場效應(yīng)管,顯示驅(qū)動芯片,網(wǎng)絡(luò)接收芯片,運算放大器,紅外線接收頭及其它半導體產(chǎn)品的研發(fā),代理銷售推廣的高新技術(shù)企業(yè).  奧偉斯科技自成立以來一直致力于新半導體產(chǎn)品在國內(nèi)的推廣與銷售,年銷售額超過壹億人民幣是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的專業(yè)電子元器件代理商.  本公司代理推廣的一系列優(yōu)秀觸摸芯片及語音芯片，現(xiàn)以大批量應(yīng)用到智能電子鎖、飲水機、電飯煲、LED臺燈等控制器為顧客提供最佳解決方案，受到廣大客戶的一致贊譽。  奧偉斯科技優(yōu)勢行業(yè)集中在家用電器和汽車電子領(lǐng)域，包括：智能電子鎖、飲水機、抽煙機、空調(diào)、洗衣機、冰箱、洗碗機、電飯煲、電磁爐、微波爐、電動自行車、汽車儀表、汽車音響、汽車空調(diào)等。銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋華東、華南及華北地區(qū)。   奧偉斯科技已為眾多世界著名企業(yè)提供服務(wù)如：美的、小米、云米、長虹、創(chuàng)維、三星

聯(lián)系人：杜立東QQ :2355705573電話：0755-83677682傳真：0755-83759885地址：深圳市福田區(qū)佳和華強大廈A座2101主營集成芯片二三極管，專業(yè)工廠配單配套范圍:集成電路ic 二三極管 電容電阻電感 晶振 LED 萬用板 排針 排母 連接器接插件 XH、VH、PH系列 微動開關(guān)按鍵開關(guān) FPC軟排線 DC插座 USB 杜邦線等電子元件物料，深圳市亞泰盈科電子有限公司本著“客戶至上”的原則，以“為客戶帶來最大效益”為目標，為客戶提供最高質(zhì)量、最優(yōu)勢競爭價格的產(chǎn)品及售后服務(wù)。如果您也在尋找電子元器件領(lǐng)域有資格的供應(yīng)商，深圳市亞泰盈科電子有限公司一定是您的最佳選擇！ 深圳市亞泰盈科電子有限公司憑借全球采購網(wǎng)絡(luò)和豐富的行業(yè)經(jīng)驗，為客戶提供快捷的資訊，可信賴的質(zhì)量標準和優(yōu)勢的價格，一站式的便利采購、靈活的解決方案，成為國內(nèi)外眾多知名企業(yè)核準的現(xiàn)貨合作伙伴，在業(yè)界贏得了良好的聲譽和佳績，被114網(wǎng)《國際電子商情》評為“全國最佳持續(xù)供貨能力獨立分銷商”。 深圳市亞泰盈科電子有限公司前分銷品牌元器件達三萬余種，涵蓋集成芯片、電容、電阻、晶體管、二極管、三極管、連接器等，專長于對緊缺、停產(chǎn)、熱門等物料的供應(yīng)，所服務(wù)的領(lǐng)域涉及光電投影、計算機與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手機通訊、汽車電子、消費電子、醫(yī)療器械、精密儀器、控制...

IRFB4332PBF INFINEON 功率場效應(yīng)晶體管 奧偉斯科技提供專業(yè)的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯片配套:低功耗觸摸芯片 低功耗單片機 馬達驅(qū)動芯片 顯示驅(qū)動芯片 刷卡芯片 時針芯片 存儲芯片 語音芯片 低壓MOS管 TVS二極管 OWEIS奧偉斯觸摸芯片：JM01S JM02S JM04S JM08S JM12MCOWEIS奧偉斯電源芯片: JM2575S/TO263-5 JM2575T/TO220-5 JM2576S/TO263-5 JM2576T/TO220-5 JM2596S/TO263-5 JM2596T/TO220-5OWEIS奧偉斯接口芯片:JM485S JM3485S JM232S JM3232S JM1040S ADS觸摸芯片：TS01S AWS01 TS02NT TS04 TS06 TS08NT TS08NC TS08NE TS08P TS12 TSM12S TSM12MC TSM16C TS20博晶微/晶尊微觸摸芯片:SC01A SC02A SC04A SC05A SC09A SC12A通泰觸控芯片: TTP223-BA6 TTP223-CA6 TTP233D-BA6 TTP233D-HA6 TTP233D-RB6 TTP233D-SB6低功耗觸摸按鍵芯片: TTY6952B BS83B12A-3 BS83B16A-3 低功耗單片機:STM8L052C6T6 STM8L052R8T6 STM8L152C6T6 STM8L152R8T6 STM32L151C8T6 STM32L152RBT6 STM32L051C8T6 指紋識別芯片

品牌：UTC(友順)廠家型號：TF2123G-E5-AQ3-R封裝規(guī)格：SOT-723商品毛重：0.011克(g)包裝方式：編帶連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10mA類型：N 溝道最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW公司主營：電子、軍工、通訊、工業(yè)、造船、儀器儀表、宇航級、軍用級、工業(yè)級、已停產(chǎn)、冷偏門等高、精、尖集成電路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年備有大量現(xiàn)貨，在香港和美國設(shè)有兩個全球庫房，及時向全球發(fā)貨。歡迎前來垂詢接洽！型號齊全，原裝正品，價格極優(yōu)，貨期快準熱門型號TNETD5014APAPTI絕對全新原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢庫存長期供貨TA7769TOSTDA8002CG/C1PHIQFP-32TDA5250D2InfineonTSSOP38TCLT1107VISHAYTDA8562QPHILIPSTEA5101ASTSTP70NF03LSTMicroelectronics原廠封裝！STF9NK90ZSTLXT971ABEINTELBGAM12L64322A-6T09+TSOP-86LX8211-00ISEJATSMDLVC161284TEXASNULLLTV4N35QTC全新原裝公司現(xiàn)貨M29F800AB-90N1STM/SGSM29W160EB70ZA6C1CSTMMAX708ESA+TMAXIMMC78M12BDTMOTNULLMM74HC123ASJXFSCPT6306PTCSOP-8PXA271FC5312INTELBGAPMBFJ310NXPSOT-

品牌：ON(安森美)廠家型號：MMBF4117封裝規(guī)格：SOT-23(SOT-23-3)商品毛重：0.03克(g)包裝方式：編帶類型：N 溝道最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW公司主營：電子、軍工、通訊、工業(yè)、造船、儀器儀表、宇航級、軍用級、工業(yè)級、冷偏門等高、精、尖集成電路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年備有大量現(xiàn)貨，在香港和美國設(shè)有兩個全球庫房，及時向全球發(fā)貨。歡迎前來垂詢接洽！型號齊全，原裝正品，價格極優(yōu)，貨期快準熱門型號HCPL0454HPSOIC/3.9mmIRFU310PBFIRIR2125PBFIRDIP8IR2010SPBFIRSOPIR2118PBFINTERNATIONAL RECTIFIER專營系列，原裝現(xiàn)貨！IC41C16257-35KICSI標準封裝GL811USB&nbsp;&nbsp;GBU8GGSIFMMT619ZETEXFAN8412FDSSOP-8EP1S20F672C6NALTERABGAEP20K200EQC240-2NALTERAQFPCY62128BLL-55ZAICYCY7B933-SXCCypress絕對原裝正品??！TLV1543CDBTINULLTL499ACPSRTEXAS INSTRUMENTSN/ATL7757CDRTIDTLC27L4CTISOPTL1431QDTexas Instruments原廠原封裝TC74HC193AFTOSSOPTDA8942PPHILIPSDIP-16PW83194AR

品牌：UTC(友順)廠家型號：2SK508G-K53-AE3-R封裝規(guī)格：SOT-23(SOT-23-3)商品毛重：0.036克(g)包裝方式：編帶型號齊全，原裝正品，價格極優(yōu)，貨期快準本公司是專業(yè)化的電子元器件供應(yīng)及代理商，在IC集成電路行業(yè)具有極高知名度。公司始終堅持誠信經(jīng)營，與國際著名廠家：AMD、ADI、Fairchild、TI、TOSHIBA、MAX、NS、ST、SII、SST、Onsemi、HIT、MIT、Intersil、PH、WINBONG、INTERSIL、LATTICE等保持著長期的合作關(guān)系。本公司供應(yīng)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通訊類、電源類、交通類、消費類、電腦類、汽車電子及音響類、工業(yè)類、照明類、航空航天、新能源類、儀器儀表、工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備器械類、電氣水利類等眾多行業(yè)領(lǐng)域。熱門型號SN74AS00DTI優(yōu)勢庫存，100%進口原裝SMAJ15CA-TRSTDO-214ACSN74LS367ANSTEXAS INSTRUMENTSSN74LV132ADRTI原廠原裝SPB04N60C3INFINEONP-TO263-3-274ACT253nscvpe: 48/tube/smdAD7572KN05ADDIPAD7396ARADIAD7399BRUADNULLA1760850★代理分銷★AIC-43C97MSTPQFP四面AN41502A-VTPANASONIQFPAV103-12n/aBC550PHINULLBT868KPFCONEXANTQFP-52BSM300GA170DN2EUPEC模塊BYT16P-400STTO-2202SK2980HITACHI?SOT-

QPD1025L   專業(yè)代理Qorvo 射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管   進口原裝現(xiàn)貨熱賣 深圳市婷軒實業(yè)0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351制造商:Qorvo產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管RoHS:詳細信息晶體管類型:HEMT技術(shù):GaN SiC增益:22.9 dBId-連續(xù)漏極電流:28 A輸出功率:1.5 kW最大漏極/柵極電壓:225 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 CPd-功率耗散:758 W安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:NI-1230-4封裝:Tray應(yīng)用:Avionics, IFF Transponders配置:Dual Gate Dual Drain工作頻率:1 GHz to 1.1 GHz系列:QPD商標:Qorvo開發(fā)套件:QPD1025LEVB1濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors工廠包裝數(shù)量:18子類別:Transistors

品牌：ON(安森美)廠家型號：MMBFJ310LT1G封裝規(guī)格：SOT-23(SOT-23-3)商品毛重：0.000030 KG包裝方式：編帶晶體管類型：N 通道 JFET額定電流：60mA電壓 - 額定：25V封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）專業(yè)供應(yīng)IC芯片、電子元器件，型號齊全，原裝正品，價格極優(yōu)，貨期快準另我司在北京、深圳有專屬SMT貼片焊接廠，如有此方面需要的客戶也可與我司聯(lián)系IC集成電路：74系列,MAX系列,HT系列,PIC系列,MIC系列,LM系列等進口,國產(chǎn)原裝正品芯片單片機：長期供應(yīng)STC,ATMEL,美國MIC,鐵電等各大品牌原裝原廠單片機,質(zhì)量保障二極管：整流二極管,肖特基二極管,開關(guān)二極管,穩(wěn)壓二極管,發(fā)光二極管,TVS二極管,快恢復二極管等三極管：各種高,低頻功率三極管,達林頓三極管; SOT23,SOT89,SOT223,TO92等場效應(yīng)管：長期出售IR,仙童,VISHAY等國外進口MOS管;TO220,TO247,TO3P,TO252,TO263,TO251等電阻：貼片電阻,色環(huán)電阻,水泥電阻,壓敏電阻,光敏電阻,熱敏電阻,排阻等電容：貼片電容,薄膜電容,滌綸電容,高壓電容,瓷片電容,獨石電容,鉭電容等電感：貼片電感,功率電感,工型電感,色環(huán)電感,磁珠等晶振：貼片晶振,插件晶振,振蕩器,EMI等;電位器:貼片可調(diào)電阻,藍白可調(diào)電阻,松下可調(diào)電阻,3296系列,3362系列,3006系列等LED:插件發(fā)光二極管,貼片發(fā)光二極管,小蝴蝶燈,食人魚燈,5050燈,燈帶,大功率LED

AON7403溝道增強模式場效應(yīng)晶體管一般說明AON7403 / L采用先進的溝槽技術(shù)提供出色的R DS（ON）和超低低柵極充電電壓為25V柵極。該設(shè)備是合適的用作負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。AON7403和AON7403L在電氣上完全相同。-RoHS兼容-AON7403L無鹵素特征V DS （V）= - 30V我D = -8A（V GS = -10V）R DS（ON）<18mΩ（V GS = -10V）R DS（ON）<36mΩ（V GS = -4.5V）型號封裝74HC04D/74HC14DSOP74HC08D/74HC00SOP74HC4051/74HC4052/74HC4053SOP74HC573D/74HC574DSOP2074HC373D/74HC374D/74HC244DSOP2074HC245DSOP20/TSSOP2074HC138D/74HC164D/74HC165DSOP74HC165N/74HC164NDIP74HC02D/74HC032DSOP74HC74D/74HC86DSOP74HC595D/74HC595NSOP16/DIP16/CD40系列還有更多CD4011/CD4001/CD40106SOPCD4060/CD4069SOP/DIPCD4051/CD4052/CD4053SOP/DIPCD4020SOP/DIPCD4093/CD4094SOP/DIPHEF4051/HEF4052SOP功放IC還有更多8002A/8002BSOP88002DSOP8LM4871SOP8LM4863SOP16/DIP16/TSSOP20LM386M-1/L

AON7403 / L采用先進溝道技術(shù)提供了優(yōu)秀的研發(fā)DS （ ON）和超低低柵極充電用25V的柵極評級。此裝置適用于用作負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。AON7403和AON7403L是電相同。-RoHS標準-AON7403L是無鹵特點VDS(V) = -30VID= -8A   (VGS= -10V)RDS （ ON）< 18MΩ （VGS= -10V)RDS （ ON）< 36mΩ （VGS= -4.5V) 深圳市奧偉斯科技有限公司是一家專注觸摸芯片,單片機,電源管理芯片,語音芯片,場效應(yīng)管,顯示驅(qū)動芯片,網(wǎng)絡(luò)接收芯片,運算放大器,紅外線接收頭及其它半導體產(chǎn)品的研發(fā),代理銷售推廣的高新技術(shù)企業(yè).  奧偉斯科技自成立以來一直致力于新半導體產(chǎn)品在國內(nèi)的推廣與銷售,年銷售額超過壹億人民幣是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的專業(yè)電子元器件代理商.  本公司代理推廣的一系列優(yōu)秀觸摸芯片及語音芯片，現(xiàn)以大批量應(yīng)用到智能電子鎖、飲水機、電飯煲、LED臺燈等控制器為顧客提供最佳解決方案，受到廣大客戶的一致贊譽。  奧偉斯科技優(yōu)勢行業(yè)集中在家用電器和汽車電子領(lǐng)域，包括：智能電子鎖、飲水機、抽煙機、空調(diào)、洗衣機、冰箱、洗碗機、電飯煲、電磁爐、微波爐、電動自行車、汽車儀表、汽車音響、汽車空調(diào)等。銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋華東、華南及華北地區(qū)。  奧偉斯科技已為眾多世界著名企業(yè)提供服務(wù)如：美的、小米、云米、長虹、創(chuàng)維、三星、LG、飛利浦、TCL、海爾、美菱、沁園、等眾多中國一流品牌電家廠商  奧偉斯科技提供專業(yè)的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯