變?nèi)荻O管（Variable Capacitance Diode），又稱為可變電容二極管、DS1302N調(diào)諧二極管或壓控二極管，是一種特殊的半導(dǎo)體器件，具有可調(diào)節(jié)電容的特性。變?nèi)荻O管廣泛應(yīng)用于無線通信、射頻調(diào)諧、頻率合成、振蕩等領(lǐng)域。1. 組成：變?nèi)荻O管由兩個(gè)區(qū)別明顯的半導(dǎo)體材料組成，通常是將高摻雜的N型硅材料與低摻雜的P型硅材料結(jié)合而成。在兩者的結(jié)界面上存在一個(gè)可調(diào)節(jié)的空間電荷區(qū)域，當(dāng)正向偏置或反向偏置時(shí)，該區(qū)域的電容值會(huì)發(fā)生變化。2. 特點(diǎn)：（1）可調(diào)節(jié)電容：通過改變二極管的偏置電壓，可以精確地調(diào)節(jié)電容值。這使得變?nèi)荻O管非常適合在無線通信中進(jìn)行頻率調(diào)諧。（2）快速響應(yīng)：變?nèi)荻O管的電容值變化非常迅速，響應(yīng)速度較快。（3）溫度穩(wěn)定性：相比于其他可變電容器，變?nèi)荻O管的電容值對(duì)溫度變化的敏感程度較低。（4）射頻性能好：變?nèi)荻O管在高頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)秀的特性，因此被廣泛應(yīng)用于無線通信系統(tǒng)。（5）體積小巧：變?nèi)荻O管的體積較小，可以方便地集成到微型電路中。3. 原理：變?nèi)荻O管的電容值是通過調(diào)節(jié)結(jié)界面的空間電荷區(qū)域來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)反向偏置施加到二極管上時(shí)，空間電荷區(qū)域擴(kuò)大，導(dǎo)致電容值增大；而當(dāng)正向偏置施加時(shí)，空間電荷區(qū)域縮小，導(dǎo)致電容值減小。這種電容的可變性是由PN結(jié)之間的電場控制的。4. 分類：變?nèi)荻O管根據(jù)PN結(jié)之間的材料類型和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，可以分為多種不同類型的二極管，如變?nèi)荻O管、互補(bǔ)對(duì)（COP）二極管、MESFET二極管等。5. 操作規(guī)程：操作變?nèi)荻O管時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)：（1）合理的偏置電壓：根據(jù)具體的應(yīng)用需求，選擇適當(dāng)?shù)钠秒妷?，以確保所需的電容范圍。（2）保護(hù)反向電

變?nèi)荻O管（Varactor Diode）是一種電容器型二極管，其特殊之處在于它的電容隨著反向偏壓的改變而變化。它是一種廣泛應(yīng)用于無線電電子學(xué)領(lǐng)域的器件，可以用于頻率調(diào)制、頻率合成、頻率變換、ATMEGA64-16AU振蕩器、濾波器等電路中。本文將從變?nèi)荻O管的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。一、基本結(jié)構(gòu)變?nèi)荻O管（Varactor Diode），也稱為容性調(diào)制二極管，是一種具有可變電容的二極管。它的結(jié)構(gòu)類似于正常的二極管，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成，但是它的P型區(qū)域和N型區(qū)域之間夾層有一個(gè)高摻雜的區(qū)域，也稱為調(diào)制區(qū)或變?nèi)輩^(qū)。調(diào)制區(qū)的寬度決定了二極管的電容大小，因此稱之為變?nèi)荻O管。二、原理變?nèi)荻O管和普通的二極管一樣，一端連接P型半導(dǎo)體，另一端連接N型半導(dǎo)體。在正向偏置時(shí)，外加電場將P型區(qū)和N型區(qū)之間的載流子推向PN結(jié)，使其變窄，電容變?。辉诜聪蚱脮r(shí)，P型區(qū)和N型區(qū)之間的載流子被電場拉開，使得PN結(jié)變寬，電容變大。因此，變?nèi)荻O管的電容可以通過控制其偏置電壓來進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)變?nèi)荻O管的偏置電壓不同時(shí)，其電容值也不同，因此可以用來制作可變電容器。三、類型根據(jù)調(diào)制區(qū)的材料和結(jié)構(gòu)不同，變?nèi)荻O管可以分為多種類型，如下所示：1、碳化硅變?nèi)荻O管：碳化硅是一種具有高功率和高頻率特性的半導(dǎo)體材料，可以用于制作高性能的變?nèi)荻O管。2、硅變?nèi)荻O管：硅變?nèi)荻O管是最常用的一種變?nèi)荻O管，具有良好的性能和可靠性。3、砷化鎵變?nèi)荻O管：砷化鎵是一種高性能的半導(dǎo)體材料，可以用于制作高頻率的變?nèi)荻O管。4、銦磷化鎵變?nèi)荻O管：銦磷化鎵是一種在高頻率下具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體材料，可以

也被稱為一個(gè)變?nèi)荻O管或變?nèi)荻O管變?nèi)荻O管。這可調(diào)諧電路中使用的變?nèi)蓦娍仉娙萏峁?。是什么使得它在許多應(yīng)用程序的優(yōu)勢(shì)是體積小，價(jià)格低廉 。如果手動(dòng)控制的可變電容相比，這種變?nèi)萦腥秉c(diǎn)，如較低的Q值，非線性，低電壓等級(jí)和更有限的范圍內(nèi) 。你可以找到的變?nèi)荻O管的背景參考材料。 上面的示意圖是用于測試變?nèi)荻O管的基本電路 。1M電阻器，變?nèi)荻O管的電路隔離的直流電壓源是關(guān)鍵。0.1 uF的電容阻止直流偏置電壓。我正好有一個(gè)10UH電感器在手，這些看起來像脂肪的電阻，并通過一個(gè)220pF 的電容相當(dāng)高的問，射頻信號(hào)發(fā)生器的耦合和未調(diào)制輸出。我們不能準(zhǔn)確地測量這是因?yàn)殡娐冯s散電容的變?nèi)荻O管的電容，但當(dāng)然，我們可以看到它的行動(dòng)。 應(yīng)用變?nèi)莸膶?shí)際密切相關(guān)的另一種方法是用電容表，因?yàn)闆]有產(chǎn)生令人滿意的結(jié)果：我們可以改變頻率尋找最大，同時(shí)觀察整個(gè)調(diào)諧電路與示波器的電壓 。后得到的共振頻率，然后計(jì)算電容記錄畫一個(gè)電容-電壓曲線。你會(huì)發(fā)現(xiàn)，非線性曲線，但它意味著電壓和頻率之間的線性關(guān)系 。

　　在所有電臺(tái)和電視臺(tái)的應(yīng)用，電壓控制振蕩器(VCO)是變?nèi)荻O管調(diào)諧LC電路的類型，在這個(gè)電子工程電路，你可以看到一個(gè)非常簡單的高效率Colpitts振蕩器，在更高的頻率范圍內(nèi) ，在50兆赫以上， 的Colpitts振蕩器使用，因?yàn)榱骼穗娐分械碾娙?，將所需的反饋電容的同時(shí)，并不會(huì)造成不良可能發(fā)生的抽頭線圈哈特利設(shè)計(jì)的雜 ??散共振。顯示調(diào)頻VCO反饋從集電極到發(fā)射極與接地的底座設(shè)計(jì) 。   　　一個(gè)Colpitts振蕩器是一個(gè)使用頻率決心電容電感的組合電子振蕩器電路的設(shè)計(jì)。Colpitts振蕩器電路的顯著特點(diǎn)是，反饋信號(hào)是由兩個(gè)串聯(lián)電容分壓器。正如你可以看到在電路圖，這種電子工程，需要一些電子零件，提供一個(gè)50MHz - 300MHz的VCO的調(diào)諧范圍的2:1。

1、變?nèi)荻O管的作用變?nèi)荻O管是利用PN電路中作可變電容器使用。 是變?nèi)荻O管的電路圖形符號(hào)。結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-182 系列和2CB為其主要參數(shù)。系列、MV系列、1T系列等，表4-24

變?nèi)荻O管的伏安特性曲線和普通二極管一樣，不同的是它工作在反向偏置區(qū)，為反偏壓二極管，其結(jié)電容就是耗盡層的電容，因此可以把耗盡層看做兩個(gè)導(dǎo)電板之間有介質(zhì)的平行板電容器。結(jié)電容的大小與反向偏壓的大小有關(guān)，反向偏壓越大，結(jié)電容越小;反之，結(jié)電容越大。變?nèi)荻O管的等效電路相當(dāng)于一個(gè)可變電容器與電阻器和電感串聯(lián)，如圖一所示。 圖一變?nèi)荻O管電容的形成及等效電路 等效電路中的龜為可變結(jié)電容，它可以近似看成為變?nèi)荻O管的總電容，它包括結(jié)電容、外殼電容及其他分布電容;Rs，為串聯(lián)電阻，它包括PN結(jié)電阻、引線電阻及接線電阻;Ls為引線電感。Cj,Rs及Ls都是反向偏壓的函數(shù)，其中Cj與反向偏壓Vd的關(guān)系正是我們要使用的變?nèi)蓐P(guān)系，通?？捎孟率奖硎? 式中：C0－－零偏壓時(shí)的PN結(jié)電容Vd－－反向偏壓 V0－－接觸電位，硅變?nèi)荻O管為0.50～0.75V 圖二為變?nèi)荻O管PN結(jié)電容特性曲線，結(jié)電容與反向偏壓的這種關(guān)系是非線性的。為了克服非線性，在應(yīng)用時(shí)往往要采用校正網(wǎng)絡(luò)、高偏壓及多回路等措施。 圖二變?nèi)荻O管電容特性曲線 一般二極管的結(jié)電容部很小，由于變?nèi)荻O管的結(jié)構(gòu)特殊，它的可變結(jié)電容很大，可像電容器一樣在電路中使用。

摘 要：介紹了一種使用vco實(shí)現(xiàn)調(diào)頻的鎖相環(huán)電路并給出了關(guān)鍵技術(shù)，變?nèi)荻O管直接調(diào)頻和鎖相，環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。該電路不僅具有低相位噪聲、高穩(wěn)定載波、很小的非線性失真，而且具有理想的音頻調(diào)制頻響。關(guān)鍵詞：調(diào)頻；變?nèi)荻O管；自動(dòng)相位控制---調(diào)頻廣播具有抗干擾性能強(qiáng)、聲音清晰等優(yōu)點(diǎn)，獲得了快速的發(fā)展。調(diào)頻電臺(tái)的頻帶通常大約是200～250khz，其頻帶寬度是調(diào)幅電臺(tái)的數(shù)十倍，便于傳送高保真立體聲信號(hào)。由于調(diào)幅波受到頻帶寬度的限制，在接收機(jī)中存在著通帶寬度與干擾的矛盾，因此音頻信號(hào)的頻率局限于30～8000hz的范圍內(nèi)。在調(diào)頻時(shí)，可以將音頻信號(hào)的頻率范圍擴(kuò)大至30～15000hz，使音頻信號(hào)的頻譜分量更為豐富，聲音質(zhì)量大為提高。---許多中小功率的調(diào)頻發(fā)射機(jī)都采用變?nèi)荻O管直接調(diào)頻技術(shù)，即在工作于發(fā)射載頻的lc振蕩回路上直接調(diào)頻，采用晶體振蕩器和鎖相環(huán)路來穩(wěn)定中心頻率。較之中頻調(diào)制和倍頻方法，這種方法的電路簡單、性能良好、副波少、維修方便，是一種較先進(jìn)的頻率調(diào)制方案。 變?nèi)荻O管直接調(diào)頻原理---二極管通過改變外加反向電壓可以改變空間電荷區(qū)的寬度，從而改變勢(shì)壘電容的大小。變?nèi)荻O管是就是利用這種特性制成的特殊的pn結(jié)二極管，是一種電抗可變的非線性電路元件，一般使用的材料為硅或砷化鎵。圖1是變?nèi)荻O管的特性曲線，圖2是變?nèi)荻O管直接調(diào)頻示意圖。---變?nèi)荻O管在反向偏置時(shí)，結(jié)電容可用下式來表示：，其中，vd為pn結(jié)內(nèi)建電位差，cj0為外加反向電壓u=0時(shí)的結(jié)電容，n為電容變化指數(shù)。n取決于變?nèi)荻O管pn結(jié)的雜質(zhì)分布規(guī)律，對(duì)于緩變結(jié)n值等于1/3，突變結(jié)n值等于1/2，超突變

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicap diode)：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨將在2006年8月3日從日本開始?？烧{(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H)和數(shù)字多媒體廣播(DMB)的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 (1)業(yè)界最小的尺寸(RKV653KP)RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值)，是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 (2)低電壓條件下的高電容變化比(RKV653KP和RKV653KL)這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 (3)環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格(RKV653KP)RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效地減少了生產(chǎn)和處理等各個(gè)階段對(duì)環(huán)境的不利影響。

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瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicap diode)：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H)和數(shù)字多媒體廣播(DMB)的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 (1)業(yè)界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值)，是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 (2)低電壓條件下的高電容變化比(RKV653KP和RKV653KL) 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 (3)環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格(RKV653KP) RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效地減少了生產(chǎn)和處理等各個(gè)階段對(duì)環(huán)境的不利影響。 RKV653KL也是一

變?nèi)荻O管檢測方法 1．正、負(fù)極的判別 有的變?nèi)荻O管的一端涂有黑色標(biāo)記，這一端即是負(fù)極，而另一端為正極。還有的變?nèi)荻O管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負(fù)極。 也可以用數(shù)字萬用表的二極管檔，通過測量變?nèi)荻O管的正、反向電壓降來判斷出其正、負(fù)極性。正常的變?nèi)荻O管，在測量其正向電壓降時(shí)，表的讀數(shù)為 0.58~0.65V；測量其反向電壓降時(shí)，表的讀數(shù)顯示為溢出符號(hào)“1”。在測量正向電壓降時(shí)，紅表筆接的是變?nèi)荻O管的正極，黑表筆接的是變?nèi)荻O管的負(fù)極。 2．性能好壞的判斷 用指針式萬用表的R×10k檔測量變?nèi)荻O管的正、反向電阻值。正常的變?nèi)荻O管，其正、反向電阻值均為∞（無窮大）。若被測變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。 function ImgZoom(Id)//重新設(shè)置圖片大小 防止撐破表格 { var w = $(Id).width; var m = 550; if(w < m) { return; } else { var h = $(Id).height; $(Id).height = parseInt(h*m/w); $(Id).width = m; } } window.onload = function() { var Imgs = $("content").getElementsByTagName("img"); var i=0; for(;i

變?nèi)荻O管是電子可變電容。換句話說，變?nèi)荻O管表現(xiàn)出來的電容是反偏電勢(shì)的函數(shù)。這種現(xiàn)象導(dǎo)致了變?nèi)荻O管在一些需要考慮電容因素的場合的幾種常見應(yīng)用。圖1為一個(gè)典型的變?nèi)荻O管調(diào)諧的lc振蕩電路。電路耦合電感l(wèi)2，的作用是當(dāng)振蕩電路被當(dāng)作射頻放大器使用時(shí)，將射頻信號(hào)輸人到振蕩電路。主要的lc振蕩電路包括主電感l(wèi)1，和電容c1與cr1的串聯(lián)電容。除此之外，還要考慮廣泛存在于電子線路的雜散電容cs。隔直電容和串聯(lián)電阻的功能前面已經(jīng)介紹過了。電容c2的作用是對(duì)調(diào)諧電壓vin，進(jìn)行濾波。 圖 變?nèi)荻O管的調(diào)諧電路 因?yàn)閘c調(diào)諧的振蕩電路的諧振頻率是lc的函數(shù)，我們發(fā)現(xiàn)振蕩電路的最大與最小諧振頻率之比隨著電容比的平方根變化。此處電容比是指反偏電壓最小時(shí)的電容與反偏電壓最大時(shí)的電容之比。因而，電路的調(diào)諧特征曲線（偏壓一諧振頻率）基本上是一條拋物線。

本文所應(yīng)用到的相關(guān)器件資料：2SC1923

              東芝公司(Toshiba)針對(duì)手機(jī)等便攜設(shè)備推出JDP2S08SC PIN二極管和JDV2S22SC變?nèi)荻O管。它們采用業(yè)界最小的SC2封裝，與東芝目前尺寸為1.0×0.6×0.48mm的最小封裝fSC相比，新型封裝將面積減小約33%，厚度約減小62%。 JDP2S08SC PIN二極管和JDV2S22SC變?nèi)荻O管采用引腳位于下面的封裝方式，并且是無鉛封裝，適用于0.62mm×0.32mm×0.30mm(標(biāo)準(zhǔn))的高密度封裝。同時(shí)，它們還保持了傳統(tǒng)fSC封裝產(chǎn)品的高頻特性。 其中，JDP2S08SC PIN二極管在1V、1MHz時(shí)的典型電容總量為0.25pF；10mA、100MHz下的串聯(lián)電阻典型值為1.0Ω。而JDV2S22SC變?nèi)荻O管在1V、1MHz時(shí)的典型電容總量為3.38pF；1V/3V時(shí)的容量比典型值為1.85Ω。 （轉(zhuǎn)自國際電子商情）              

變?nèi)荻O管，也稱為電容二極管（Varactor Diode），是一種特殊的二極管，具有可變電容的特性。它的工作原理基于PN結(jié)的反向偏置，通過改變反向電壓來改變電容值。變?nèi)荻O管廣泛應(yīng)用于射頻電路、CY7C63310-SXC振蕩器、濾波器等領(lǐng)域，其作用和特點(diǎn)如下：1. 工作原理： 變?nèi)荻O管的工作原理基于PN結(jié)的反向偏置。當(dāng)變?nèi)荻O管處于反向偏置時(shí)，正向電流（注入電流）幾乎為零，而在反向電壓下，形成了一個(gè)反向偏置電場。當(dāng)反向電壓增大時(shí)，反向偏置電場的強(qiáng)度增加，導(dǎo)致PN結(jié)的耗盡區(qū)（depletion region）變寬，電容值減小。反之，當(dāng)反向電壓減小時(shí)，耗盡區(qū)變窄，電容值增大。通過改變反向電壓，就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)變?nèi)荻O管電容值的調(diào)節(jié)。2. 作用： - 頻率調(diào)諧：變?nèi)荻O管可通過改變電容值實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻電路中的頻率的調(diào)節(jié)。例如，在收音機(jī)中，變?nèi)荻O管可用于調(diào)諧電臺(tái)頻率，通過調(diào)節(jié)反向電壓，改變變?nèi)荻O管的電容值，從而調(diào)整電路的共振頻率，使之與所需的電臺(tái)頻率匹配。 - 振蕩器：變?nèi)荻O管可用于控制振蕩器的頻率。通過與電感器或諧振電路結(jié)合使用，變?nèi)荻O管可以實(shí)現(xiàn)對(duì)振蕩頻率的調(diào)節(jié)。通過改變反向電壓，可以改變變?nèi)荻O管的電容值，進(jìn)而改變振蕩電路的頻率。 - 濾波器：變?nèi)荻O管可以用作可調(diào)濾波器的關(guān)鍵元件。通過改變反向電壓，可以改變變?nèi)荻O管的電容值，從而改變?yōu)V波器的截止頻率。這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)特定頻率的信號(hào)的濾波或選擇放行。3. 特點(diǎn)： - 可調(diào)性：變?nèi)荻O管的最大特點(diǎn)是電容值可調(diào)，通過改變反向電壓可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電容值的連續(xù)調(diào)節(jié)。這種可調(diào)性使得變?nèi)荻O管在射頻電路中非常有用，可以滿足不同

變?nèi)荻O管，也稱為可變電容二極管或電容二極管，是一種能夠通過改變電壓或電流來改變其電容值的二極管。它通常由兩個(gè)電極和一個(gè)可變介質(zhì)組成。變?nèi)荻O管的工作原理涉及到其結(jié)構(gòu)和材料的特性。變?nèi)荻O管LM258ADR的結(jié)構(gòu)通常由兩個(gè)電極和一個(gè)可變介質(zhì)組成。其中一個(gè)電極是一個(gè)金屬板，稱為固定板，另一個(gè)電極是一個(gè)可移動(dòng)的金屬板，稱為活動(dòng)板。兩個(gè)電極之間的空間被填充了一個(gè)可變介質(zhì)，通常是一種高介電常數(shù)的材料，如氧化鋁或氮化鋁。當(dāng)變?nèi)荻O管處于正常工作區(qū)時(shí)，活動(dòng)板與固定板之間的距離是固定的，電容值保持不變。當(dāng)外加電壓或電流改變時(shí)，活動(dòng)板會(huì)受到電場力的影響，從而改變其位置和與固定板之間的距離。這將導(dǎo)致電容值的變化。變?nèi)荻O管的工作原理可以通過以下步驟來解釋：1、無偏置狀態(tài)：在無外加電壓或電流的情況下，變?nèi)荻O管處于無偏置狀態(tài)。此時(shí)，活動(dòng)板位于固定板的中間位置，電容值處于中間值。2、偏置狀態(tài)：當(dāng)外加電壓或電流施加到變?nèi)荻O管上時(shí)，會(huì)在電容器中形成一個(gè)電場。這個(gè)電場會(huì)對(duì)活動(dòng)板施加一個(gè)力，使得它移動(dòng)到一個(gè)新的位置。活動(dòng)板的移動(dòng)將改變電容器的有效電容值。3、電容值變化：當(dāng)活動(dòng)板移動(dòng)到新的位置時(shí)，活動(dòng)板與固定板之間的距離改變。由于電容值與電極之間的距離成反比，因此電容值將隨之改變。當(dāng)活動(dòng)板靠近固定板時(shí)，電容值增大；當(dāng)活動(dòng)板遠(yuǎn)離固定板時(shí)，電容值減小。4、范圍：變?nèi)荻O管的電容值變化范圍取決于電場強(qiáng)度和活動(dòng)板與固定板之間的距離。通常，變?nèi)荻O管的電容值可以在幾個(gè)皮法德（pF）到幾百皮法德之間變化。變?nèi)荻O管的工作原理基于電場力對(duì)活動(dòng)板的作用。通過改變電壓或電流，可以改變電場力的大小和方向，從而控制活動(dòng)板的位置和

變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差： （1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。 （2）變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。 出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。

無內(nèi)容

無內(nèi)容

日前，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管（varicap diode）*1：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨將在2006年8月3日從日本開始。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端（One-Seg廣播*2）的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類（DVB-H*3）和數(shù)字多媒體廣播（DMB*4）的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 （1）業(yè)界最小的尺寸（RKV653KP） RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm（典型值），是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 （2）低電壓條件下的高電容變化比（RKV653KP和RKV653KL） 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7（C1/C3情況下）*5的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 （3）環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格（RKV653KP） RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicap diode)：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨將在2006年8月3日從日本開始。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H)和數(shù)字多媒體廣播(DMB)的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 (1)業(yè)界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值)，是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 (2)低電壓條件下的高電容變化比(RKV653KP和RKV653KL) 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 (3)環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格(RKV653KP) RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicap diode)：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨將在2006年8月3日從日本開始。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H)和數(shù)字多媒體廣播(DMB)的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 (1)業(yè)界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值)，是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 (2)低電壓條件下的高電容變化比(RKV653KP和RKV653KL) 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 (3)環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格(RKV653KP) RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效

實(shí)現(xiàn)調(diào)頻的方法很多，大致可分為兩類，一類是直接調(diào)頻，另一類是間接調(diào)頻。直接調(diào)頻是用調(diào)制信號(hào)電壓直接去控制自激振蕩器的振蕩頻率（實(shí)質(zhì)上是改變振蕩器的定頻元件），變?nèi)荻O管調(diào)頻便屬于此類。間接調(diào)頻則是利用頻率和相位之間的關(guān)系，將調(diào)制信號(hào)進(jìn)行適當(dāng)處理（如積分）后，再對(duì)高頻振蕩進(jìn)行調(diào)相，以達(dá)到調(diào)頻的目的。兩種調(diào)頻法各有優(yōu)缺點(diǎn)。直接調(diào)頻的穩(wěn)定性較差，但得到的頻偏大，線路簡單，故應(yīng)用較廣；間接調(diào)頻穩(wěn)定性較高，但不易獲得較大的頻偏。常用的變?nèi)荻O管直接調(diào)頻電路如圖Z0916（a）所示。圖中D為變?nèi)荻O管，C2、L1、和C3組成低通濾濾器，以保證調(diào)制信號(hào)順利加到調(diào)頻級(jí)上，同時(shí)也防止調(diào)制信號(hào)影響高頻振蕩回路，或高頻信號(hào)反串入調(diào)制信號(hào)電路中。調(diào)制級(jí)本身由兩組電源供電。 對(duì)高頻振蕩信號(hào)來說，L1可看作開路，電源EB的交流電位為零，R1與C3并聯(lián)；如果將隔直電容C4近似看作短路，R2看作開路，則可得到圖（b）所示的高頻等效電路。不難看出，它是一個(gè)電感三點(diǎn)式振蕩電路。變?nèi)荻O管D的結(jié)電容Cj，充當(dāng)了振蕩回路中的電抗元件之一。所以振蕩頻率取決于電感L2和變?nèi)荻O變?nèi)荻O管的正極直流接地（L2對(duì)直流可視為短路），負(fù)極通過R1接+EB，使變?nèi)荻O管獲得一固定的反偏壓，這一反偏壓的大小與穩(wěn)定，對(duì)調(diào)頻信號(hào)的線性和中心頻率的穩(wěn)定性及精度，起著決定性作用。 對(duì)調(diào)制信號(hào)來說，L2可視為短路，調(diào)制信號(hào)通過隔直流電容C1和L1加到變?nèi)荻O管D的負(fù)極，因此，當(dāng)調(diào)制信號(hào)為正半周時(shí)，變?nèi)荻O管的反偏電壓增加，其結(jié)電容減小，使振蕩頻率變高；調(diào)制信號(hào)為負(fù)半周時(shí)，變?nèi)荻O管的反偏壓減小，其結(jié)電容增大，使振

瑞薩科技公司（RenesasTechnologyCorp.）日前宣布推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管（varicapdiode）：RKV653KP尺寸大小為0.6mm×0.3mm，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨在2006年8月3日從日本開始。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端（One-Seg廣播）的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類（DVB-H）和數(shù)字多媒體廣播（DMB）的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下： *小尺寸（RKV653KP）： RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm（典型值），是小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 *低電壓條件下的高電容變化比（RKV653KP和RKV653KL）： 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7（C1/C3情況下）的高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 *環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格（RKV653KP）： RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效地減少了生產(chǎn)和處理等各個(gè)階段對(duì)環(huán)境的不利影響。RKV653KL也是一種無鉛產(chǎn)品。瑞

瑞薩科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布，推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicapdiode)：RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的業(yè)界最小尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨將在2006年8月3日從日本開始。 可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H)和數(shù)字多媒體廣播(DMB)的可調(diào)式天線。兩種器件的特性如下。 (1)業(yè)界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值)，是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。 (2)低電壓條件下的高電容變化比(RKV653KP和RKV653KL) 這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。 (3)環(huán)境友好的無鉛、無鹵素規(guī)格(RKV653KP) RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效地減少了生產(chǎn)和處理等各個(gè)階段對(duì)環(huán)境的不

瑞薩科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前發(fā)布了用于手機(jī)的三款電視調(diào)諧器可變電容二極管——RKV650KP、RKV650KN和RKV650KL。其中RKV650KP的尺寸只有0.6×0.3mm，號(hào)稱業(yè)界最小。新器件的樣品將在2005年8月從日本開始供貨。新款器件可用于接收陸地?cái)?shù)字電視廣播的手機(jī)等的數(shù)字電視調(diào)諧器，樣品價(jià)格分別為15、13和12日?qǐng)A(僅供參考)。 采用0.6×0.3×0.3mm(典型)封裝的RKV650KP與瑞薩科技以前的模擬電視調(diào)諧器型號(hào)相比，其安裝面積減少了大約70%，有助于用戶的系統(tǒng)更加小型化。這三種新產(chǎn)品在大約2.5V的低電壓范圍條件下，實(shí)現(xiàn)了3.5的業(yè)界最高電容比(在C0.5和C2.5的情況下)，能夠用于接收陸地?cái)?shù)字電視廣播的手機(jī)電視調(diào)諧器。與此同時(shí)，折衷的高頻串聯(lián)電阻特性已被控制在0.5Ω(在VR=1V，f=470MHz條件下)，有助于實(shí)現(xiàn)高靈敏度和低噪聲。 通過采用底面電極結(jié)構(gòu)，RKV650KP使用的MP6(微型封裝6，瑞薩封裝代碼)封裝，在這種結(jié)構(gòu)中電極位于封裝的底面。而RKV650KN采用0.8×0.5×0.3mm(典型)底面電極結(jié)構(gòu)MP8(微型封裝8，瑞薩封裝代碼)封裝，RKV650KL采用引腳類型EFP(極小型扁平引線封裝，瑞薩封裝代碼)，尺寸為1.0×0.6×0.47mm(典型)，不同的系統(tǒng)用戶可以選擇適合的類型。

瑞薩科技(Renesas)日前宣布推出兩款用于具有數(shù)字地面廣播能力的便攜式和移動(dòng)終端的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管(varicap diode)，其中RKV653KP具有據(jù)稱為業(yè)界最小0.6×0.3mm的尺寸，而RKV653KL則采用了擴(kuò)展的封裝形式。樣品供貨于2006年8月3日從日本開始。可調(diào)式天線是一種可以改變共振頻率以有效接收各種頻帶的天線。這將有助于利用小型封裝和可調(diào)式天線處理用于便攜式和移動(dòng)終端(One-Seg廣播，日本用于便攜式和移動(dòng)終端的一種地面數(shù)字廣播標(biāo)準(zhǔn)。6MHz頻段被劃分成為13個(gè)波段，它使用的是中間波段。該服務(wù)開始于2006年4月。)的數(shù)字地面廣播頻率，從而推動(dòng)天線與具有One-Seg廣播能力的移動(dòng)電話的集成。瑞薩科技開發(fā)的RKV653KP和RKV653KL可滿足改變天線共振頻率對(duì)嵌入式變?nèi)荻O管嚴(yán)格的規(guī)格要求。這兩種產(chǎn)品可以用于One-Seg廣播和其他數(shù)字廣播服務(wù)，例如數(shù)字視頻廣播手持設(shè)備類(DVB-H*3)和數(shù)字多媒體廣播(DMB*4)的可調(diào)式天線。這些新產(chǎn)品可在大約3V的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)2.7(C1/C3情況下)的業(yè)界最高電容變化比，有助于實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可調(diào)式天線所需的寬頻帶能力。RKV653KP的尺寸為0.6×0.3×0.3mm(典型值)，據(jù)稱是業(yè)界最小尺寸的可調(diào)式天線變?nèi)荻O管。這有助于將天線輕松集成到移動(dòng)電話內(nèi)部。RKV653KP采用電極位于封裝的下側(cè)的下側(cè)電極結(jié)構(gòu)。下側(cè)電極引腳采用鍍金工藝，封裝體采用無鹵素樹脂，有效地減少了生產(chǎn)和處理等各個(gè)階段對(duì)環(huán)境的不利影響。RKV653KL也是一種無鉛產(chǎn)品，采用了引腳型EFP(超小型扁平引腳封裝，瑞薩封裝代碼

瑞薩科技近日發(fā)布用于手機(jī)的三款電視調(diào)諧器可變電容二極管——RKV650KP、RKV650KN和RKV650KL。其中RKV650KP的尺寸只有0.6×0.3mm，號(hào)稱業(yè)界最小。新器件的樣品將在2005年8月從日本開始供貨。新款器件可用于接收陸地?cái)?shù)字電視廣播的手機(jī)等的數(shù)字電視調(diào)諧器，樣品價(jià)格分別為15、13和12日?qǐng)A(僅供參考)。 采用0.6×0.3×0.3mm(典型)封裝的RKV650KP與瑞薩科技以前的模擬電視調(diào)諧器型號(hào)相比，其安裝面積減少了大約70%，有助于用戶的系統(tǒng)更加小型化。這三種新產(chǎn)品在大約2.5V的低電壓范圍條件下，實(shí)現(xiàn)了3.5的業(yè)界最高電容比(在C 0.5和C 2.5的情況下)，能夠用于接收陸地?cái)?shù)字電視廣播的手機(jī)電視調(diào)諧器。與此同時(shí)，折衷的高頻串聯(lián)電阻特性已被控制在0.5Ω(在VR=1V，f=470MHz條件下)，有助于實(shí)現(xiàn)高靈敏度和低噪聲。 通過采用底面電極結(jié)構(gòu)，RKV650KP使用的MP6 (微型封裝6，瑞薩封裝代碼)封裝，在這種結(jié)構(gòu)中電極位于封裝的底面。而RKV650KN采用0.8×0.5×0.3mm(典型)底面電極結(jié)構(gòu)MP8(微型封裝8，瑞薩封裝代碼)封裝，RKV650KL采用引腳類型EFP(極小型扁平引線封裝，瑞薩封裝代碼)，尺寸為1.0×0.6×0.47mm(典型)，不同的系統(tǒng)用戶可以選擇適用的模型。

1、變?nèi)荻O管的作用變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。 圖4-17是變?nèi)荻O管的電路圖形符號(hào)。 變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的。 變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常，中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。 2．常用的變?nèi)荻O管常用的國產(chǎn)變?nèi)荻O管有2CC系列和2CB系列，表4-23為其主要參數(shù)。 常用的進(jìn)口變?nèi)荻O管有S系列、MV系列、KV系列、1T系列、1SV系列等，表4-24為其主要參數(shù)。

品牌：SKYWORKS廠家型號(hào)：SMV1234-079LF封裝規(guī)格：SC-79商品毛重：0.06克(g)包裝方式：編帶二極管配置:獨(dú)立式 最大反向耐壓(Vr):15V 二極管電容(CT):2pF@6V 電容比:3.4 電容比條件:C1V/C6V 串聯(lián)電阻(Rs):800mΩ 工作溫度(最小值):-55℃@(Ta) 工作溫度(最大值):+125℃@(Ta)本公司專業(yè)為開關(guān)電源、逆變電源、變頻電源、通信電源、車載電源、電焊機(jī)、變頻器、馬達(dá)控制器等提供全方位的服務(wù)，并在消防行業(yè)、儀器儀表、通信業(yè)、船舶工業(yè)、自動(dòng)化控制等高科技市場有良好的商業(yè)信譽(yù)，且具有完善的管理體系和強(qiáng)大的配套能力。產(chǎn)品包含各種類IC芯片、集成電路，二極管、三極管、電阻、電容、電感、連接器、晶振、傳感器、處理器及微控制器、光耦、紅外、發(fā)光管、射頻、濾波器、放大器、存儲(chǔ)器、蜂鳴器、功能模塊等。經(jīng)營宗旨 ：原裝正品、保證質(zhì)量、準(zhǔn)時(shí)交貨、價(jià)格及優(yōu)熱門型號(hào)LTC3256EMSE#PBFAnalog Devices Inc.16-MSOP-EPLT3095IUDD#PBFAnalog Devices Inc.24-QFN（3x5）LT3570EFE#PBFAnalog Devices Inc.20-TSSOP-EPMAX5093BATE+Maxim Integrated16-TQFN（5x5）TPS65262RHBRTexas Instruments32-VQFN（5x5）MAX8513EEI+Maxim Integrated-LT3500HDD#PBFAnalog Devices Inc.12-DFN（3x3）MAX509